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BC859ATRL

更新时间: 2024-02-12 04:44:00
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国巨 - YAGEO 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 65K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

BC859ATRL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.57其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):125
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):150 MHz
VCEsat-Max:0.3 VBase Number Matches:1

BC859ATRL 数据手册

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