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BC857A,215

更新时间： 2024-02-29 08:59:55

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14页	201K
描述
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23

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BC857A,215 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-236
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	Factory Lead Time：	4 weeks
风险等级：	0.63	Samacsys Description：	BC856; BC857; BC858 - PNP general purpose transistors
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	125
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.65 V
Base Number Matches：	1

BC857A,215 数据手册

Nexperia

BC856; BC857; BC858

65 V, 100 mA PNP general-purpose transistors

aaa-028117

mgt712

400

- 1200

(mV)

(1)

- 1000

300

200

100

(1)

(2)

- 800

- 600

- 400

- 200

(2)

(3)

- 2

- 1

- 10

-1

- 10

- 1

- 10

(mA)

-10

-1

-10

(mA)

V_CE= -5 V

(1) T_amb= 150 °C

(2) T_amb= 25 °C

(3) T_amb= -55 °C

(1) T_amb= -55 °C

(2) T_amb= 25 °C

(3) T_amb= 150 °C

Figure 1.ꢀBC856A; BC857A: DC current gain as a

function of collector current; typical values

Figure 2.ꢀBC856A; BC857A: Base-emitter voltage as a

function of collector current; typical values

mgt713

mgt714

- 10

- 1200

BEsat

(mV)

CEsat

- 1000

(1)

(2)

- 10

- 800

- 600

- 400

- 200

(3)

- 10

(1)

(3) (2)

- 10

- 1

- 10

- 1

- 10

- 1

- 10

(mA)

I_C/I_B= 20

(1) T_amb= 150 °C

(2) T_amb= 25 °C

(3) T_amb= -55 °C

(1) T_amb= -55 °C

(2) T_amb= 25 °C

(3) T_amb= 150 °C

Figure 3.ꢀBC856A; BC857A: Collector-emitter saturation Figure 4.ꢀBC856A; BC857A: Base-emitter saturation

voltage as a function of collector current; typical values voltage as a function of collector current; typical values

BC856_BC857_BC858

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Product data sheet

Rev. 7 — 16 April 2018

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1...3 4 567 8 9...14

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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