5秒后页面跳转
BC849 PDF预览

BC849

更新时间: 2024-01-31 17:06:22
品牌 Logo 应用领域
强茂 - PANJIT 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 587K
描述
NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

BC849 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.33Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:3 pF集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):200
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.6 VBase Number Matches:1

BC849 数据手册

 浏览型号BC849的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BC849的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC849的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BC849的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BC849的Datasheet PDF文件第6页 
BC846,BC847,BC848,BC849,BC850 SERIES  
ELECTRICALCHARACTERISTICS  
PARAMETER  
Symbol  
Test Condition  
MIN.  
TYP.  
-
MAX.  
-
Units  
V
BC846A/B  
Collector - Emitter Breakdown Voltage BC847A/B/C,BC850B/C  
BC848A/B/C,BC849B/C  
65  
45  
30  
V
(BR)CEO  
IC=1.0mA, IB=0  
BC846A/B  
BC847A/B/C,BC850B/C  
BC848A/B/C,BC849B/C  
80  
50  
30  
Collector - Base Breakdown Voltage  
Emitter - Base Breakdown Voltage  
V
V
(BR)CBO IC=10uA, IE=0  
(BR)EBO IE=10uA, IC=0  
-
-
-
V
BC846A/B  
BC847A/B/C,BC850B/C  
BC848A/B/C,BC849B/C  
6.0  
6.0  
5.0  
-
V
Emitter-Base Cutoff Current  
Collector-Base Cutoff Current  
I
I
EBO  
CBO  
VEB=5  
-
-
-
-
100  
nA  
VCB=30V, IE=0  
VCB=30V, IE=0,T  
15  
5.0  
nA  
uA  
J
=150O  
C
BC846~BC848 Suffix "A"  
BC846~BC850 Suffix "B"  
BC847~BC850 Suffix "C"  
90  
150  
270  
DC Current Gain  
DC Current Gain  
hF E  
IC=10uA, VCE=5V  
-
-
-
-
BC846~BC848 Suffix "A"  
BC846~BC850 Suffix "B"  
BC847~BC850 Suffix "C"  
110  
200  
420  
180  
290  
520  
220  
450  
800  
hF E  
IC=2.0mA, VCE=5V  
IC=10mA, IB=0.5mA  
IC=100mA, IB=5.0mA  
0.25  
0.6  
Collector - Emitter Saturation Voltage  
Base - Emitter Saturation Voltage  
Base - Emitter Voltage  
V
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
-
-
-
V
V
IC=10mA, IB=0.5mA  
IC=100mA, IB=5.0mA  
0.7  
0.9  
V
V
-
IC=2mA, VCE=5.0V  
IC=10mA, VCE=5.0V  
0.58  
-
0.660  
-
0.70  
0.77  
V
Collector - Base Capacitance  
C
CBO  
VCB=10V, IE=0, f=1MH  
-
-
4.5  
pF  
NPN  
REV.0.3-FEB.10.2009  
PAGE . 2  

与BC849相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BC849_15 UTC SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION

获取价格

BC849_99 KEC EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

获取价格

BC849A PANJIT NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

获取价格

BC849A ZETEX SOT23 NPN SILICON PLANAR

获取价格

BC849A(SOT-23) UTC Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN

获取价格

BC849-A-AE3-R UTC SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION

获取价格