BC849

更新时间： 2024-02-01 19:11:39

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	220K
描述
NPN Silicon AF Transistors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BC849 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.33	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	3 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.6 V	Base Number Matches：	1

BC849 数据手册

BC846...BC850

NPN Silicon AF Transistors

For AF input stages and driver applications

High current gain

Low collector-emitter saturation voltage

Low noise between 30 Hz and 15 kHz

Complementary types: BC856, BC857, BC858

BC859, BC860 (PNP)

VPS05161

Type

Marking

1As

1Bs

1Es

1Fs

1Gs

1Js

1Ks

1Ls

Pin Configuration

Package

SOT23

1 = B

B = 1

1 = B

2 = E

3 = C

BC846A

BC846B

BC847A

BC847B

BC847C

BC848A

BC848B

BC848C

BC849B

BC849C

BC850B

BC850C

3 = C

2Bs

2Cs

2Fs

2Gs

Nov-20-2002

12 3 4 5 6 7 8

下载PDF

与BC849相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC849_15	UTC	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION	获取价格
BC849_99	KEC	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR	获取价格
BC849A	PANJIT	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS	获取价格
BC849A	ZETEX	SOT23 NPN SILICON PLANAR	获取价格
BC849A(SOT-23)	UTC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN	获取价格
BC849-A-AE3-R	UTC	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION	获取价格