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BC848W,115 PDF预览

BC848W,115

更新时间： 2024-02-08 20:35:26
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 111K
描述
BC848 series - 30 V, 100 mA NPN general-purpose transistors SC-70 3-Pin

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BC848W,115 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.2最大集电极电流 (IC)：0.1 A
基于收集器的最大容量：3 pF集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：110
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.6 V
Base Number Matches：1

BC848W,115 数据手册

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BC848 series  
NXP Semiconductors  
30 V, 100 mA NPN general-purpose transistors  
7. Characteristics  
Table 8.  
Characteristics  
T
amb = 25 °C unless otherwise specified.  
Symbol Parameter Conditions  
Min  
Typ  
Max  
15  
5
Unit  
nA  
ICBO  
collector-base cut-off VCB = 30 V; IE = 0 A  
-
-
-
-
current  
VCB = 30 V; IE = 0 A;  
μA  
Tj = 150 °C  
IEBO  
hFE  
emitter-base cut-off VEB = 5 V; IE = 0 A  
current  
-
-
-
100  
-
nA  
DC current gain  
VCE = 5 V; IC = 10 μA  
VCE = 5 V; IC = 2 mA  
BC848B  
150  
200  
290  
-
450  
800  
250  
600  
-
BC848W  
110  
VCEsat  
VBEsat  
VBE  
collector-emitter  
saturation voltage  
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA  
IC = 100 mA; IB = 5 mA  
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA  
IC = 100 mA; IB = 5 mA  
-
90  
200  
700  
900  
660  
-
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
MHz  
[1]  
[2]  
[2]  
[3]  
[3]  
-
base-emitter  
saturation voltage  
-
-
-
base-emitter voltage IC = 2 mA; VCE = 5 V  
IC = 10 mA; VCE = 5 V  
580  
-
700  
770  
-
fT  
transition frequency VCE = 5 V; IC = 10 mA;  
f = 100 MHz  
100  
-
Cc  
NF  
collector capacitance VCB = 10 V; IE = ie = 0 A;  
f = 1 MHz  
-
-
2.5  
2
3
pF  
dB  
noise figure  
VCE = 5 V; IC = 200 μA;  
RS = 2 kΩ; f = 1 kHz;  
B = 200 Hz  
10  
[1] Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.  
[2] VBEsat decreases by approximately 1.7 mV/K with increasing temperature.  
[3] VBE decreases by approximately 2 mV/K with increasing temperature.  
BC848_SER_7  
© NXP B.V. 2009. All rights reserved.  
Product data sheet  
Rev. 07 — 17 November 2009  
4 of 12  
 
 
 
 
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BC848W,115 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC847CLT1G ONSEMI

功能相似

 		General Purpose Transistors(NPN Silicon)
BC847ALT1G ONSEMI

功能相似

 		General Purpose Transistors(NPN Silicon)

与BC848W,115相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BC848W,135 NXP BC848 series - 30 V, 100 mA NPN general-purpose transistors SC-70 3-Pin

获取价格
BC848W_08 KEC USM PACKAGE

获取价格
BC848WA INFINEON Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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BC848W-AH SWST 小信号晶体管

获取价格
BC848W-B INFINEON Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

获取价格
BC848W-C INFINEON Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-323

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