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BC848L-C-AN3-R

更新时间： 2024-01-05 09:23:40
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友顺 - UTC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 248K
描述
Small Signal Bipolar Transistor

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BC848L-C-AN3-R 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.56
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：420
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

BC848L-C-AN3-R 数据手册

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BC846-BC850  
NPN SILICON TRANSISTOR  
„
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (TA=25°C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
V
BC846  
80  
50  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
BC847 / BC850  
BC848 / BC849  
BC846  
VCBO  
V
30  
V
65  
V
BC847 / BC850  
BC848 / BC849  
BC846 / BC847  
BC848 / BC849 / BC850  
VCEO  
45  
V
30  
V
6
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
VEBO  
IC  
5
V
100  
310  
200  
150  
+150  
-40 ~ +150  
mA  
mW  
mW  
mW  
°C  
°C  
SOT-23  
Collector Dissipation  
SOT-323  
SOT-523  
PD  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
TJ  
TSTG  
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.  
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.  
„
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITIONS  
VCB=30V, IE=0  
MIN TYP MAX UNIT  
Collector Cut-Off Current  
DC Current Gain  
15  
nA  
hFE  
VCE=5.0V, IC=2.0mA  
IC=10mA, IB=0.5mA  
110  
800  
250  
90  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
MHz  
pF  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Collector-Base Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
VCE(SAT)  
VBE(SAT)  
VBE(ON)  
IC=100mA,IB=5.0mA  
IC=10mA, IB=0.5mA  
200 600  
700  
IC=100mA,IB=5.0mA  
VCE=5.0V, IC=2.0mA  
VCE=5.0V, IC=10mA  
VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz  
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz  
VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz  
VCE=5V, IC=200μA,  
900  
580 660 700  
720  
300  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
fT  
COB  
CIB  
3.5  
9
6
Input Capacitance  
pF  
BC846/BC847/BC848  
2
10  
4
dB  
f=1KHz, RG=2KΩ  
BC849/BC850  
Noise Figure  
1.2  
1.4  
1.4  
dB  
NF  
BC849  
VCE=5V, IC=200μA,  
RG=2KΩ, f=30~15000Hz  
4
dB  
BC850  
3
dB  
„
CLASSIFICATION OF hFE  
RANK  
A
B
C
RANGE  
110-220  
200-450  
420-800  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
3 of 5  
QW-R206-027,G  
www.unisonic.com.tw  
12345

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BC848LEADFREE CENTRAL Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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