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BC847B PDF预览

BC847B

更新时间： 2024-01-17 14:28:24
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管光电二极管IOT
页数 文件大小 规格书
2页 68K
描述
NPN General Purpose Transistor

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BC847B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
JESD-609代码：e3端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

BC847B 数据手册

 浏览型号BC847B的Datasheet PDF文件第2页 
BC847B / BC847C  
Transistors  
NPN General Purpose Transistor  
BC847B / BC847C  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
1) BVCEO < 45V (IC=1mA)  
2) Complements the BC857B.  
2.9 0.2  
+0.2  
−0.1  
0.95  
1.9 0.2  
0.45 0.1  
0.95 0.95  
!Package, marking, and Packaging specifications  
(2)  
(1)  
Part No.  
Packaging type  
Marking  
BC847B  
SST3  
G1F  
BC847C  
SST3  
G1G  
0~0.1  
0.2Min.  
(3)  
Code  
T116  
T116  
+0.1  
0.15  
+0.1  
−0.06  
Basic ordering unit (pieces)  
3000  
3000  
0.4  
−0.05  
All terminals have the same dimensions  
ROHM : SST3  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
50  
45  
V
6
V
I
C
0.1  
A
0.2  
∗
Collector power dissipation  
Junction temperature  
P
C
W
0.35  
150  
Tj  
°C  
°C  
Storage temperature  
Tstg  
−55~+150  
∗ When mounted on a 7×5×0.6mm ceramic board.  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
50  
45  
6
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−
−
−
−
−
−
I
I
I
C
=50µA  
=1mA  
V
C
V
E
=50µA  
−
−
−
−
15  
5
nA  
µA  
V
V
CB=30V  
CB=30V, Ta=150°C  
Collector cutoff current  
ICBO  
−
−
0.58  
200  
420  
−
−
−
−
−
−
200  
3
0.25  
0.6  
0.77  
450  
800  
−
I
I
C
/I  
/I  
B
=10mA/0.5mA  
=100mA/5mA  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
CE(sat)  
V
C
B
V
BE(on)  
V
−
−
MHz  
pF  
pF  
V
V
V
CE/I  
CE/I  
CE/I  
C=5V/10mA  
C=5V/2mA  
C=5V/2mA  
BC847B  
hFE  
BC847C  
Transition frequency  
f
T
V
V
V
CE=5V, I  
CB=−10V, I  
EB=0.5V, I  
E
=−20mA, f=100MHz  
Collector output capacitance  
Emitter input capacitance  
Cob  
Cib  
−
−
−
−
E
=0, f=1MHz  
8
C=0, f=1MHz  
!Electrical characteristic curves  
The electrical characteristic curves for these products are the same as those of UMT222A, SST222A, MMST2222A and  
PN2222A.  
1/1  
12

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BC847B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC847BLT3G ONSEMI

功能相似

 General Purpose Transistors
BC847BLT1G ONSEMI

功能相似

 General Purpose Transistors
BC847B-7-F DIODES

功能相似

 NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23

与BC847B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC847B(SOT-23) UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN
BC847B,215 ETC

获取价格

 		TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
BC847B,235 ETC

获取价格

 		TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
BC847B.215 NXP

获取价格

 		45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
BC847B.235 NXP

获取价格

 		45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
BC847B/DG NXP

获取价格

 		45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
BC847B/DG,215 NXP

获取价格

 		45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors; Package: SOT23 (TO-236AB); Container: Tape r
BC847B/DG/B3,215 ETC

获取价格

 		TRANS GEN PURPOSE TO-236AB
BC847B/E8 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BC847B/E9 VISHAY

获取价格

 		Transistor

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