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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 0.52 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BC847BLT1G | ONSEMI |
类似代替  |
General Purpose Transistors |
|
| BCW72LT1G | ONSEMI |
类似代替 |
General Purpose Transistor |
|
| BC850BLT1G | ONSEMI |
类似代替 |
General Purpose Transistors |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC847BM | NXP |
获取价格 |
NPN general purpose transistors |
|
| BC847BM | NEXPERIA |
获取价格 |
45 V, 100 mA NPN general-purpose transistorsProduction |
|
| BC847BM | YANGJIE |
获取价格 |
DFN1006-3L |
|
| BC847BM | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
45V,0.1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
|
| BC847BM,315 | NXP |
获取价格 |
BC847 series - 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors DFN 3-Pin |
|
| BC847BM3 | MCC |
获取价格 |
Tape&Reel: 8Kpcs/Reel,; |
|
| BC847BM3 | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-723 |
|
| BC847BM3T5G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistor |
|
| BC847BMB | NXP |
获取价格 |
45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors |
|
| BC847BMB | NEXPERIA |
获取价格 |
45 V, 100 mA NPN general-purpose transistorsProduction |
|
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