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BC81840

更新时间： 2024-01-12 10:32:52

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其他 - ETC		晶体晶体管开关光电二极管
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1页	53K
描述
Obsolete - alternative part: BCW66H

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BC81840 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.53
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	170
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.33 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC81840 数据手册

SOT23 NPN SILICON PLANAR

MEDIUM POWER TRANSISTORS

BC817

BC818

ISSUE 4 june 1996

✪

PARTMARKING DETAILS

BC817

6DZ

BC818

6HZ

BC817-16 6AZ

BC817-25 6BZ

BC817-40 6CZ

BC818-16 6EZ

BC818-25 6FZ

BC818-40 6GZ

COMPLEMENTARY TYPES

BC817

BC818

BC807

BC808

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

BC817

BC818

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

500

100

200

330

°C

I_B

Peak Base Current

I_BM

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector Cut-Off

Current

I_CBO

0.1

V_CB=20V, I_E=0

V_CB=20V, I_E=0, T_amb=150°C

µA

Emitter Cut-Off Current

I_EBO

V_EB=5V, I_C=0

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

700

I_C=500mA, I_B=50mA*

Base-Emitter

Turn-on Voltage

V_BE(on)

h_FE

1.2

I_C=500mA, V_CE=1V*

Static Forward Current

Transfer Ratio

100

600

I_C=100mA, V_CE=1V*

I_C=500mA, V_CE=1V*

-16

-25

-40

100

160

250

400

600

I_C=100mA, V_CE=1V*

Transition

Frequency

f_T

200

5.0

MHz I_C=10mA, V_CE=5V

f=35MHz

Collector-base

Capacitance

C_obo

I_E=I_e=0, V_CB=10V

f=1MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

3 - 10

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