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BC807-25W

更新时间： 2024-09-25 08:49:39
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 274K
描述
PNP Silicon General Purpose Transistors

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BC807-25W 数据手册

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BC807-16W  
BC807-25W  
BC807-40W  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
PNP Silicon  
General Purpose  
Transistors  
RoHS Compliant. See ordering information)  
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
·
·
Moisure Sensitivity Level 1  
Capable of 0.2Watts of Power Dissipation.  
·
•
Collector-current 0.5A  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
Mechanical Data  
SOT-323  
•
•
•
•
Case: SOT-323 Molded Plastic  
A
D
C
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Weight: 0.005 grams (approx.)  
Device Marking:  
BC807-16W  
BC807-25W  
BC807-40W  
5A  
5B  
5C  
C
B
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
E
B
F
E
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
45  
50  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
H
G
J
(I =10mAdc, IB=0)  
C
Collector-Base Breakdown Voltage  
K
(I =10uAdc, IE=0)  
C
DIMENSIONS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
---  
Vdc  
(I =1.0uAdc, IC=0)  
E
INCHES  
MM  
Collector Cutoff Current  
(VCB=20Vdc,IE=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCE=20V dc,IB=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, IC=0)  
0.1  
0.2  
0.1  
uAdc  
uAdc  
uAdc  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
.071  
.045  
.079  
MAX  
.087  
.053  
.087  
MIN  
1.80  
1.15  
2.00  
MAX  
2.20  
1.35  
2.20  
NOTE  
ICEO  
.026 Nominal  
0.65Nominal  
1.20  
.047  
.055  
.016  
.004  
.039  
.010  
.016  
1.40  
.40  
.100  
1.00  
.250  
.40  
IEBO  
F
.012  
.000  
.035  
.004  
.012  
.30  
.000  
.90  
.100  
.30  
G
H
J
ON CHARACTERISTICS  
hFE(1)  
K
DC Current Gain  
(IC=100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
BC807-16W  
BC807-25W  
BC807-40W  
100  
160  
250  
250  
400  
600  
---  
---  
---  
0.70  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE(on)  
DC Current Gain  
(IC=500mAdc, VCE=1.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Base-Emitter Voltage  
40  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
0.90  
0.7  
1.2  
1.90  
MM  
(IC=500mAdc,VCE=1Vdc)  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
0.65  
fT  
Current-Gain-Bandwidth Product  
80  
---  
MHz  
(VCE=5.0V, f=100MHz, I C=10mA)  
Collector output capacitance  
(VCB=10V, f=1MHz)  
0.65  
Cob  
10  
pF  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: A  
2011/01/01  
1234

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与BC807-25W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC807-25W,115 ETC

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 		TRANS PNP 45V 0.5A SOT323
BC807-25W,135 ETC

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 		TRANS PNP 45V 0.5A SOT323
BC807-25W/T3 NXP

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 		TRANSISTOR 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP Gene
BC807-25W-7 DIODES

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 		PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
BC807-25W-AU PANJIT

获取价格

 		SOT-323
BC807-25W-E6327 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC80725WE6327HTSA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
BC807-25WH6327 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
BC807-25WHE3 MCC

获取价格

 		Tape&Reel:3Kpcs/Reel;
BC807-25WQ YANGJIE

获取价格

 		SOT-323

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