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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 1.45 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 65 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 420 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC556-C | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| BC556C/D27Z | TI |
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65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| BC556C/E6 | VISHAY |
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Transistor, |
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| BC556C/E7 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor, |
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| BC556C-AMMO | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal |
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| BC556C-AP | MCC |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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| BC556C-AP-HF | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
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| BC556CBK | DIOTEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| BC556C-BP | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| BC556C-BP-HF | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
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