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BC337TF

更新时间： 2024-02-22 17:15:15

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	23K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN

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BC337TF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.12	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC337TF 数据手册

BC337/338

Switching and Amplifier Applications

•

Suitable for AF-Driver stages and low power output stages

Complement to BC327/BC328

TO-92

1. Collector 2. Base 3. Emitter

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Emitter Voltage

: BC337

: BC338

Collector-Emitter Voltage

CES

CEO

EBO

: BC337

: BC338

Emitter-Base Voltage

800

°C

Collector Current (DC)

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

625

150

-55 ~ 150

°C

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Units

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I =10mA, I =0

CEO

CES

EBO

: BC337

: BC338

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I =0.1mA, V =0

C BE

: BC337

: BC338

Emitter-Base Breakdown Voltage

I =0.1mA, I =0

Collector Cut-off Current

: BC337

CES

=45V, I =0

=25V, I =0

100

: BC338

DC Current Gain

=1V, I =100mA

100

630

FE1

FE2

=1V, I =300mA

(sat)

(on)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base Emitter On Voltage

I =500mA, I =50mA

0.7

1.2

=1V, I =300mA

Current Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

=5V, I =10mA, f=50MHz

100

MHz

=10V, I =0, f=1MHz

Classification

100 ~ 250

60-

160 ~ 400

100-

250 ~ 630

170-

FE1

FE2

Rev. A2, August 2002

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与BC337TF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC337TFR	FAIRCHILD	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格
BC337-XBK	DIOTEC	General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors	获取价格
BC337-X-T92-B	UTC	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS	获取价格
BC337-X-T92-K	UTC	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS	获取价格
BC337ZL1	ONSEMI	Amplifier Transistors	获取价格
BC337ZL1G	ONSEMI	Amplifier Transistors NPN Silicon	获取价格