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BC321

更新时间: 2024-01-26 06:24:15
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MICRO-ELECTRONICS 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 229K
描述
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

BC321 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.79基于收集器的最大容量:4 pF
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):420JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-W3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

BC321 数据手册

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