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BC251B

更新时间: 2024-01-28 02:51:12
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 32K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,45V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-92

BC251B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.89
最大集电极电流 (IC):0.1 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):180最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.35 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

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