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BC212B

更新时间： 2024-09-25 03:21:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 29K
描述
PNP General Purpose Amplifier

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BC212B 数据手册

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BC212B  
PNP General Purpose Amplifier  
•
This device is designed for general purpose amplifier application at  
collector currents to 100mA.  
•
Sourced from process 68.  
TO-92  
1. Collector 2. Base 3. Emitter  
1
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
50  
V
V
CEO  
60  
5
CBO  
EBO  
V
I
- Continuous  
100  
mA  
°C  
C
T
T
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ 150  
J, STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Off Characteristics  
BV  
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= 2mA  
50  
60  
5
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
C
C
E
= 10µA  
= 10µA  
I
I
V
V
= 30V  
= 4V  
15  
15  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
Emitter Cut-off Current  
On Characteristics*  
h
DC Current Gain  
V
V
= 5V, I = 10µA  
40  
60  
FE  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 2mA  
C
V
V
V
(sat)  
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
I
= 100mA, I = 5mA  
0.6  
1.4  
V
V
V
CE  
BE  
BE  
C
C
B
= 100mA, I = 5mA  
B
V
= 5V, I = 2mA  
0.6  
0.72  
CE  
C
Small Signal Characteristics  
C
Output Capacitance  
Small Signal Current Gain  
Noise Figure  
V
V
V
= 10V, f = 1MHz  
6
pF  
dB  
ob  
fe  
CE  
CE  
CE  
h
= 5V, I = 2mA, f = 1KHz  
200  
400  
10  
C
NF  
= 5V, I = 200µA, f = 1KHz  
C
R
= 2KΩ, BW = 200Hz  
G
* Pulse Test: Pulse Width < 300µs, Duty Cycle < 2.0%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, October 2002  
1234

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BC212B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC212BRL1G ONSEMI

完全替代

 Amplifier Transistors PNP Silicon
BC212BRL1 ONSEMI

类似代替

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BC212BG ONSEMI

类似代替

 Amplifier Transistors PNP Silicon

与BC212B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC212B/D27Z TI

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 		50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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