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BAV99W PDF预览

BAV99W

更新时间： 2024-09-24 22:48:11
品牌 Logo 应用领域
强茂 - PANJIT 二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 113K
描述
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

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BAV99W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.27配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.715 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：4 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.2 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.004 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

BAV99W 数据手册

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BAL99W, BAW56W, BAV70W, BAV99W  
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES  
200mWatts  
PACKAGE  
SOT-323  
POWER  
75 Volts  
VOLTAGE  
FEATURES  
• Fast switching speed.  
• Surface mount package Ideally Suited for Automatic insertion  
• Electrically Identical to Standard JEDEC  
• High Conductance  
MECHANICAL DATA  
Case: SOT-323, Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Approx. Weight: 0.008 gram  
Marking : JF, JC, JA, JG  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25OC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
PARAMETER  
SYMBOL  
BAL99W  
75  
BAW56W  
75  
BAV70W  
75  
BAV99W  
UNITS  
Reverse Voltage  
V
R
75  
100  
150  
2.0  
200  
1.0  
2.5  
4.0  
4.0  
V
V
Peak Reverse Voltage  
V
RM  
100  
150  
2.0  
200  
1.0  
2.5  
4.0  
4.0  
100  
150  
2.0  
200  
1.0  
2.5  
4.0  
4.0  
100  
150  
Rectified Current (Average), Half Wave Rectification with  
Resistive Load and f >=50 Hz  
IO  
mA  
A
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half  
sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method)  
IFSM  
2.0  
Power Dissipation Derate Above 25OC  
P
TOT  
200  
mW  
V
Maximum Forward Voltage at I  
F
=10mA  
V
F
1.0  
Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking  
Voltage T  
= 25OC  
IR  
2.5  
µA  
pF  
J
Typical Junction Capacitance( Notes1)  
Maximum Reverse Recovery (Notes2)  
Maximum Thermal Resistance  
CJ  
4.0  
TRR  
4.0  
ns  
RθJA  
357  
OC / W  
OC  
Storage Temperature Range  
TJ  
-55 TO +125  
(
SINGLE Alt  
)
COMMON ANODE  
COMMON CATHODE  
SERIES  
NOTE:  
1. CJ at VR=0, f=1MHZ  
2.From IF=10mA to IR=1mA, VR=6Volts, RL=100Ω  
BAL99W  
BAW56W  
BAV70W  
BAV99W  
Part Number: BAL99W, BAW56W, BAV70W, BAV99W  
PAGE 1  
123

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与BAV99W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAV99W(LS) DIODES

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 		SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAV99W,115 ETC

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 		DIODE ARRAY GP 100V 150MA SOT323
BAV99W,135 ETC

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 		DIODE ARRAY GP 100V 150MA SOT323
BAV99W,155 NXP

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 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
BAV99W/A2,115 NXP

获取价格

 		RECTIFIER DIODES,DOUBLER,100V V(RRM),SOT-323
BAV99W/DG/B3,115 ETC

获取价格

 		DIODE ARRAY GP 100V 150MA SC70
BAV99W/DG/B3F ETC

获取价格

 		DIODE ARRAY GP 100V 150MA SC70
BAV99W/T1 ETC

获取价格

 		DIODE SOT 323 SCHALT
BAV99W/T3 NXP

获取价格

 		DIODE 0.15 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, Signal Diode
BAV99W/T4 NXP

获取价格

 		DIODE 0.15 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, Signal Diode

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