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BAV99W

更新时间: 2024-09-25 20:30:11
品牌 Logo 应用领域
SURGE 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 1399K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.15A, 85V V(RRM), Silicon,

BAV99W 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.58
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.15 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.2 W
最大重复峰值反向电压:85 V最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BAV99W 数据手册

 浏览型号BAV99W的Datasheet PDF文件第2页 

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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