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BAV99-E3-18

更新时间： 2024-09-25 20:55:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 96K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.15A, 70V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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BAV99-E3-18 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：5
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.715 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：1 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.3 W
最大重复峰值反向电压：70 V最大反向恢复时间：0.006 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

BAV99-E3-18 数据手册

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BAV99  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
Small Signal Switching Diode, Dual in Series  
FEATURES  
• Fast switching speed  
3
• High conductance  
• Surface mount package ideally suited for  
automatic insertion  
• Connected in series  
1
2
• AEC-Q101 qualified  
18109  
• Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
• Base P/N-HE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
MECHANICAL DATA  
Case: SOT-23  
Weight: approx. 8.8 mg  
Packaging codes/options:  
18/10K per 13" reel (8 mm tape), 10K/box  
08/3K per 7" reel (8 mm tape), 15K/box  
PARTS TABLE  
PART  
ORDERING CODE  
INTERNAL CONSTRUCTION  
TYPE MARKING  
REMARKS  
BAV99-E3-08 or BAV99-E3-18  
BAV99  
Dual diodes serial  
JE  
Tape and reel  
BAV99-HE3-08 or BAV99-HE3-18  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
Non repetitive peak reverse voltage  
VRM  
100  
Repetitive peak reverse voltage  
= working peak reverse voltage  
= DC blocking voltage  
V
VRRM = VRWM = VR  
70  
tp = 1 s  
1
Peak forward surge current  
Average forward current  
IFSM  
A
tp = 1 μs  
4.5  
Half wave rectification with resistive load  
and f 50 MHz, on ceramic substrate  
10 mm x 8 mm x 0.7 mm  
IF(AV)  
150  
mA  
On ceramic substrate  
10 mm x 8 mm x 0.7 mm  
Forward current  
IF  
250  
300  
On ceramic substrate  
10 mm x 8 mm x 0.7 mm  
Power dissipation  
Ptot  
mW  
THERMAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
On ceramic substrate  
10 mm x 8 mm x 0.7 mm  
Junction ambient  
RthJA  
430  
K/W  
Junction and storage temperature range  
Operating temperature range  
Tj = Tstg  
Top  
- 55 to + 150  
- 55 to + 150  
°C  
°C  
Rev. 1.9, 16-May-13  
Document Number: 85718  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

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BAV99-E3-18 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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