BAV16WS

更新时间： 2024-02-21 12:55:50

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鲁光 - LGE		小信号开关二极管
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2页	226K
描述
Silicon Epitaxial Planar Diodes

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BAV16WS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	R-PDSO-G2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.62	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.15 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.2 W
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAV16WS 数据手册

BAV16WS

Silicon Epitaxial Planar Diodes

SOD-323

Features

Fast Switching Speed:trr=4ns(Typ).

Surface Mount Package Ideally Suited For

Automatic Insertion.

For General Purpose Switching Applications.

High Conductance.

Available in Lead Free Version.

Dimensions in inches and (millimeters)

Applications

Surface mount fast switching diode.

Ordering Information

Type No.

Marking

Package Code

SOD-323

BAV16WS

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Characteristic

Symbol

V_RM

Value

100

Unit

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Reverse Voltage

V_RRM

V_RWM

V_R

RMS Reverse Voltage

V_R(RMS)

I_FM

Forward Continuous Current

Average Rectified Output Current

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=1.0 μs

@t=1.0 s

300

I_o

150

I_FSM

2.0

1.0

Power Dissipation

P_d

200

℃/W

℃

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Operating and Storage Temperature Rage

R_θJA

T_j,T_STG

625

-65 to+150

http://www.luguang.cn

mail:lge@luguang.cn

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