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BAT17-04W

更新时间： 2024-02-14 17:16:25
品牌 Logo 应用领域
科信 - KEXIN 肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 48K
描述
Silicon Schottky Diode

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BAT17-04W 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.60风险等级：5.21
Is Samacsys：N最小击穿电压：4 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS最大二极管电容：0.75 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.6 V频带：VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：130 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.15 W认证状态：Not Qualified
最大反向电流：10 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

BAT17-04W 数据手册

  
SMD Type  
Diodes  
Silicon Schottky Diode  
BAT17-04W,BAT17-05W,BAT17-06W  
Features  
For mixer applications in VHF/UHF range  
For high-speed switching application  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Diode reverse voltage  
Forward current  
Symbol  
VR  
Value  
4
Unit  
V
IF  
130  
mA  
mW  
Ptot  
Tj  
150  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Operating temperature range  
Storage temperature  
Junction - soldering point(Note 1)  
Note  
TS  
92  
150  
Top  
-55 to +125  
-55 to +150  
390  
Tstg  
RthJS  
K/W  
1.For calculation of RthJA please refer to Application Note Thermal Resistance  
Electrical Characteristics Ta = 25  
Parameter  
Breakdown voltage  
Symbol  
V(BR)  
Conditions  
I(BR) = 10  
VR = 3 V  
Min  
4
Typ  
Max  
Unit  
V
A
0.25  
10  
Reverse current  
Forward voltage  
IR  
VR = 4 V  
A
1.25  
350  
450  
600  
20  
VR = 3 V, TA = 60  
IF = 0.1 mA  
200  
250  
350  
275  
340  
425  
VF  
mV  
IF = 1 mA  
IF = 10 mA  
Forward voltage matching(Note 1)  
Diode capacitance  
ÄVF  
CT  
IF = 1 mA  
mV  
pF  
VR = 0 , f = 1 MHz  
IF = 5 mA, f = 10 KHz  
0.4  
0.55  
8
0.75  
15  
Differential forward resistance  
Note  
RF  
1.ÄVF is the difference between lowest and highest VF in multiple diode component.  
Marking  
Type  
BAT17-04W BAT17-05W BAT17-06W  
54S 55S 56S  
Marking  
1
www.kexin.com.cn  
1

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