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BAS70C-AE3-R

更新时间: 2025-07-14 04:06:47
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4页 90K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODES

BAS70C-AE3-R 技术参数

生命周期:Active包装说明:ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.56配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:0.07 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.2 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:70 V最大反向恢复时间:0.005 µs
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BAS70C-AE3-R 数据手册

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BAS70x  
DIODE  
DIODE CONFIGURATION AND SYMBOL  
BAS70  
3
BAS70A  
3
BAS70C  
3
BAS70S  
3
2
1
n.c  
2
1
2
1
2
1
MARKING  
BAS70  
BAS70A  
GA  
BAS70C  
GC  
BAS70S  
GS  
G0  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
2 of 4  
QW-R601-017,A  
www.unisonic.com.tw  

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