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BAS70-04T

更新时间： 2024-02-21 03:10:13

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金誉半导体 - HTSEMI		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
2页	291K
描述
SCHOTTKY DIODE

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BAS70-04T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.83
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.41 V
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	0.1 A
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.07 A
最大重复峰值反向电压：	70 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)

BAS70-04T 数据手册

BAS70T/-04T/-05T/-06T

SCHOTTKY DIODE

SOT-523

FEATURES

Low Turn-on voltage

Fast switching

BAS70T Marking: 7C

BAS70-04T Marking: 7D

BAS70-05T Marking: 7E

BAS70-06T Marking: 7F

Maximum Ratings @T_A=25℃

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Peak Repetitive Peak reverse voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_RRM

V_RWM

V_R

Forward Continuous Current

I_FM

I_FSM

P_D

100

150

833

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0s

Power Dissipation

℃/W

R_θJA

T_STG

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Storage temperature

-65-125

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_{(BR) R}

I_R

Test

conditions

MIN

MAX

UNIT

Reverse breakdown voltage

I_R= 10µA

V_R=50V

Reverse voltage

leakage current

100

I_F=1mA

I_F=15mA

410

1000

Forward

Diode

voltage

capacitance

V_F

C_D

V_R=0, f=1MHz

I_F=I_R=10mA,I_rr=0.1xI_R,

Reveres recovery time

t_rr

R_L=100Ω

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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