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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BA316 | NXP |
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High-speed diodes |
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| BA316113 | NXP |
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DIODE 0.1 A, 15 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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| BA316116 | NXP |
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DIODE 0.1 A, 15 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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| BA316133 | NXP |
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DIODE 0.1 A, 15 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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| BA316136 | NXP |
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DIODE 0.1 A, 15 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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| BA316143 | NXP |
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DIODE 0.1 A, 15 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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| BA316153 | NXP |
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DIODE 0.1 A, 15 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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| BA316T/R | NXP |
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DIODE 0.1 A, 15 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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| BA317 | NXP |
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High-speed diodes |
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| BA3170 | ROHM |
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Trickle-charge IC for two-cell, lithium-ion batteries |
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