BA158GP-BP

更新时间： 2024-02-22 21:23:37

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美微科 - MCC		整流二极管 IOT
页数	文件大小	规格书
3页	364K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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BA158GP-BP 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.61	其他特性：	FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向恢复时间：	0.15 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

BA158GP-BP 数据手册

M C C

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6047

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20736 Marilla Street Chatsworth

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Micro Commercial Components

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Features

•

Low Leakage Current

1 Amp Fast Recovery

Rectifier

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

•

Fast Switching For High Efficiency

400~1000 Volts

High emperature soldering guaranteed:260^oC /10 seconds

Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

DO-41

Maximum Ratings

•

Operating Temperature: -65°C to +125°C

Storage Temperature: -65°C to +125°C

Maximum Thermal Resistance; 25°C/W Junction To Lead

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak

Reverse

Voltage

400V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

BA157

BA158

BA159

BA157

BA158

BA159

280V

420V

700V

400V

600V

1000V

600V

1000V

Cathode

Mark

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

I_F(AV)

1.0A

T_A=50°C

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

35A

8.3ms, half sine

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

V_F

I_R

1.3V

I_FM= 1.0A;

T_A= 25°C*

5.0µA

T_J= 25°C

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.166

.080

.028

MIN

4.10

2.00

.70

DIM

MAX

.205

.107

.034

---

MAX

5.20

2.70

.90

NOTE

Maximum Reverse

Recovery Time

T_rr

C_J

150nS

250nS

I_F=0.5A,

BA157~BA158

BA159

1.000

25.40

---

I_R=1.0A,

I_rr=0.25A

Measured at

1.0MHz,

V_R=4.0V

Typical Junction

Capacitance

15pF

*Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%

Note: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

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12 3

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与BA158GP-BP相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BA158GPE	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN	获取价格
BA158GP-E3	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-204AL, LEAD FREE, PLASTIC, DO-41,	获取价格
BA158GP-E3/54	VISHAY	SWITING 600V 1A 2PIN DO-204AL - Tape and Reel	获取价格
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BA158GPE-E3/54	VISHAY	DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL	获取价格
BA158GPEHE3/54	VISHAY	DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL	获取价格