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B9NC60

更新时间： 2022-10-14 18:17:06

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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10页	464K
描述
N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 9A - D2PAK/I2PAK PowerMesh?II MOSFET

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B9NC60 数据手册

STB9NC60 / STPBNC60-1

THERMAL DATA

Rthj-case

Thermal Resistance Junction-case Max

1.0

62.5

300

°C/W

°C

Rthj-amb

Thermal Resistance Junction-ambient Max

Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose

AVALANCHE CHARACTERISTICS

Symbol

Parameter

Max Value

Unit

Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive

(pulse width limited by T max)

Single Pulse Avalanche Energy

850

(starting T = 25 °C, I = I , V = 50 V)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TCASE = 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)

OFF

Symbol

Parameter

Drain-source

Breakdown Voltage

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

= 250 µA, V = 0

600

(BR)DSS

Zero Gate Voltage

= Max Rating

µA

DSS

Drain Current (V = 0)

= Max Rating, T = 125 °C

Gate-body Leakage

= ±30V

±100

GSS

Current (V = 0)

ON (1)

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

GS(th)

= V , I = 250µA

Gate Threshold Voltage

Static Drain-source On

Resistance

= 10V, I = 4.5 A

0.6

0.75

Ω

DS(on)

DYNAMIC

Symbol

Parameter

Forward Transconductance

Input Capacitance

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

(1)

=20 V I = 4.5A

DS , D

iss

= 25V, f = 1 MHz, V = 0

DS GS

1420

205

Output Capacitance

oss

rss

Reverse Transfer

Capacitance

2/10

123 4 5 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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B9P10-VB	JST	该产品是针对包括电源电路在内的各种电路，具有足够连接性能的7.92mm间距，7A电流压着、	获取价格
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