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B500S-SLIM PDF预览

B500S-SLIM

更新时间： 2024-09-21 20:53:23
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 158K
描述
Bridge Rectifier Diode,

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B500S-SLIM 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.39其他特性：UL RECOGNIZED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G4
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：1000 V表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

B500S-SLIM 数据手册

 浏览型号B500S-SLIM的Datasheet PDF文件第2页 
B40S ... B500S  
B40S ... B500S  
IFAV = 1.0 A  
VF < 1.1 V  
Tjmax = 150°C  
VRRM = 80...1000 V  
IFSM = 45/50 A  
SMD Single Phase Bridge Rectifier  
SMD Einphasen-Brückengleichrichter  
trr  
~ 1500 ns  
Version 2019-01-04  
Typical Applications  
50/60 Hz Mains Rectification,  
Power Supplies  
Typische Anwendungen  
SO-DIL  
“SLIM”  
50/60 Hz Netzgleichrichtung,  
Stromversorgungen  
Commercial grade 1)  
Standardausführung 1)  
Features  
Besonderheiten  
UL-anerkannt, Liste E175067  
Schlanke Bauhöhe 2.5 mm  
Konform zu RoHS, REACH,  
Konfliktmineralien 1)  
7.9±0.4  
5.1  
UL recognized, File E175067  
Slim Profile 2.5 mm  
Compliant to RoHS, REACH,  
Conflict Minerals 1)  
10.2±0.4  
8.3-0.1  
R
V
~
~
Mechanical Data 1)  
Mechanische Daten 1)  
Type  
Typ  
Taped and reeled  
1500 / 13“  
0.4 g  
Gegurtet auf Rolle  
+
1.3  
Weight approx.  
Gewicht ca.  
Case material  
UL 94V-0  
260°C/10s  
MSL = 1  
Gehäusematerial  
Dimensions - Maße [mm]  
Solder & assembly conditions  
Löt- und Einbaubedingungen  
Maximum ratings 2)  
Grenzwerte 2)  
Type  
Typ  
Part No.  
Artikel-Nr.  
Max. alternating input voltage  
Max. Eingangswechselspannung  
VVRMS [V] 3)  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V] 4)  
B40S  
B40S-SLIM  
B80S-SLIM  
B125S-SLIM  
B250S-SLIM  
B380S-SLIM  
B500S-SLIM  
40  
80  
80  
160  
B80S  
B125S  
B250S  
B380S  
B500S  
125  
250  
380  
500  
250  
600  
800  
1000  
Max. rectified output current  
Dauergrenzstrom am Brückenausgang  
R-load  
C-load  
1.0 A 5)  
TA = 50°C  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
i2t  
0.8 A 5)  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
f > 15 Hz  
9A 5)  
Peak forward surge current  
Stoßstrom in Fluss-Richtung  
Half sine-wave  
Sinus-Halbwelle  
50 Hz (10 ms)  
60 Hz (8.3 ms)  
45 A  
50 A  
Rating for fusing  
Grenzlastintegral  
t < 10 ms  
10.1 A2s  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-50...+150°C  
-50...+150°C  
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book  
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches  
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben  
2
3
4
5
Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM – Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten  
Valid per Diode – Gültig pro Diode  
Mounted on P.C. Board with 13 x 13 mm2 copper pads – Montage auf Leiterplatte mit 13 x 13 mm2 Kupferbelag (Lötpads)  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
 
 
 
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