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B130BE-13

更新时间： 2024-02-27 00:24:57
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 278K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, SMB, 2 PIN

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B130BE-13 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMB, 2 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：8.4配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：30 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

B130BE-13 数据手册

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B120AE-B140AE  
B120BE-B140BE  
Marking Information (Cont.)  
SMB  
BXXXBE = Product Type Marking Code, ex: B120BE (SMB Package)  
= Manufacturers’ Code Marking  
YWW = Date Code Marking  
Y = Last Digit of Year (ex: 7 for 2017)  
WW = Week Code (01 to 53)  
YWW  
BXXXBE  
Maximum Ratings (@TA = +25°C, unless otherwise specified.)  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
B120AE  
B120BE  
B130AE  
B130BE  
B140AE  
B140BE  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VRM  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
20  
30  
40  
V
Average Rectified Output Current  
1
A
A
IO  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load  
30  
IFSM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 5) SMA  
SMB  
95  
90  
°C/W  
RθJA  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 5)  
SMA  
SMB  
45  
40  
°C/W  
°C  
RθJC  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Electrical Characteristics (@TA = +25°C, unless otherwise specified.)  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
—
—
0.45  
0.40  
0.50  
—
IF = 1A, TJ = +25°C  
IF = 1A, TJ = +125°C  
Forward Voltage Drop  
V
VF  
VR = 20V, TJ = +25°C  
VR = 30V, TJ = +25°C  
VR = 40V, TJ = +25°C  
VR = 40V, TJ = +125°C  
B120AE/B120BE  
B130AE/B130BE  
B140AE/B140BE  
—
—
—
—
—
—
—
0.1  
0.1  
0.2  
—
Leakage Current (Note 6)  
Typical Capacitance  
mA  
pF  
IR  
6.1  
—
50  
—
CT  
VR = 4.0V, f = 1MHz  
Notes:  
5. Device mounted on FR-4 substrate, 0.4" x 0.5", 2oz, single-sided, PC boards with 0.2" x 0.25" copper pad.  
6. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
2 of 6  
www.diodes.com  
April 2017  
© Diodes Incorporated  
B120AE(BE)-B140AE(BE)  
Document number: DS39261 Rev. 4 - 2  
123456

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