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AU5790D14,512

更新时间： 2024-02-27 06:51:22
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 电信光电二极管电信集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 120K
描述
IC DATACOM, INTERFACE CIRCUIT, PDSO14, PLASTIC, SO-14, Network Interface

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AU5790D14,512 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP14,.25
针数：14Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.84
数据速率：83 MbpsJESD-30 代码：R-PDSO-G14
JESD-609代码：e4长度：8.65 mm
功能数量：1端子数量：14
收发器数量：1最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP14,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
电源：13 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm子类别：Network Interfaces
最大压摆率：0.09 mA标称供电电压：13 V
表面贴装：YES电信集成电路类型：INTERFACE CIRCUIT
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

AU5790D14,512 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product data  
Single wire CAN transceiver  
AU5790  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Pin TxD (continued)  
t
Transmit delay in high-speed  
mode, bus rising edge  
NSTB = 5 V, EN = 0 V;  
0.1  
1.5  
µs  
TrHS  
R = 100 Ω, C = 15 nF;  
L
L
8 V < V  
< 16 V;  
BAT  
measured from the falling edge on  
TxD to V = 3.0 V  
CANH  
t
Transmit delay in high-speed  
mode, bus falling edge  
NSTB = 5 V, EN = 0 V;  
0.2  
3
µs  
TfHS  
R = 100 Ω, C = 15 nF;  
L
L
8 V < V  
< 16 V;  
BAT  
measured from the rising edge on  
TxD to V = 1.0 V  
CANH  
Pin RxD  
t
t
t
t
Receive delay in normal mode,  
bus rising and falling edge  
NSTB = 5 V, EN = 5 V;  
5.5 V < V < 27 V;  
0.3  
0.3  
0.3  
10  
1
1
µs  
µs  
µs  
µs  
DN  
BAT  
CANH to RxD time measured from  
= 2.0 V to V = 2.5 V  
V
CANH  
RxD  
Receive delay in wake-up mode,  
bus rising and falling edge  
NSTB = 0 V, EN = 5 V;  
5.5 V < V < 27 V;  
DW  
DHS  
DS  
BAT  
CANH to RxD time measured from  
= 2.0 V to V = 2.5 V  
V
CANH  
RxD  
Receive delay in high-speed  
mode, bus rising and falling edge  
NSTB = 5 V, EN = 0 V;  
8 V < V < 16 V;  
1
BAT  
CANH to RxD time measured from  
= 2.0 V to V = 2.5 V  
V
CANH  
RxD  
Receive delay in sleep mode,  
bus rising edge  
NSTB = 0 V, EN = 0 V;  
CANH to RxD time, measured from  
= min {(V – 3.78 V),  
70  
V
CANH  
BAT  
7.13 V} to V  
= 2.5 V  
RxD  
NOTES:  
1. Operation at battery voltages down to 5.3 volts is guaranteed by design. Operation higher than 18 volts (18 V < V  
< 27 V) for up to two  
BAT  
minutes is permitted if the thermal design of the board prevents reaching the thermal protection temperature limit, T , otherwise the device  
sd  
will self protect. Typically these requirements will be encountered during jump start operation at T  
85 °C and V  
< 27 V. Refer to the  
amb  
BAT  
“Thermal Characteristics” section of this data sheet, or application note AN2005 for guidance.  
2. This parameter is characterized but not subject to production test.  
10  
2001 May 18  
1...78910111213...20

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