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ATF22LV10CQZ-30PI

更新时间： 2024-01-13 17:45:04

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Highperformance EE PLD

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ATF22LV10CQZ-30PI 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TSSOP,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
最大时钟频率：	25 MHz	JESD-30 代码：	R-PDSO-G24
长度：	7.8 mm	专用输入次数：	11
I/O 线路数量：	10	端子数量：	24
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	11 DEDICATED INPUTS, 10 I/O	输出函数：	MACROCELL
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
可编程逻辑类型：	FLASH PLD	传播延迟：	30 ns
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压：	5.5 V
最小供电电压：	3 V	标称供电电压：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	4.4 mm	Base Number Matches：	1

ATF22LV10CQZ-30PI 数据手册

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4.1

DC Characteristics

Symbol Parameter

Condition⁽²⁾

Min

Typ

Max

Units

Input or I/O Low

Leakage Current

I_IL

0 ≤ V_IN≤ V_IL(Max)

-10.0

µA

Input or I/O High

Leakage Current

I_IH

(V_CC- 0.2)V ≤ V_IN≤ V_CC

10.0

µA

CZ-25

Com.

Ind.

50.0

55.0

18.0

19.0

3.0

85.0

90.0

50.0

60.0

25.0

50.0

25.0

50.0

µA

V_CC= Max

Outputs Open,

f = 15 MHz

CZ-25

Clocked Power

Supply Current

I_CC

CQZ-30

CZ-25

Com.

Ind.

Com.

Ind.

V_CC= Max

V_IN= Max

Outputs Open

CZ-25

4.0

µA

Power Supply Current,

Standby

I_SB

CQZ-30

Com.

Ind.

3.0

µA

4.0

µA

Output Short Circuit

Current

(1)

I_OS

V_OUT= 0.5V

-130.0

V_IL

Input Low Voltage

Input High Voltage

-0.5

2.0

0.8

V_IH

V_CC+ 0.75

V_IN= V_IHor V_IL

V_OL

Output Low Voltage

V_CC= Min,

0.5

I_OL= 16 mA

V_IN= V_IHor V_IL

V_OH

Output High Voltage

V_CCIO= Min,

I_OH= -2.0 mA

2.4

V_OH

I_OH= -100 µA

V_CC- 0.2V

Note:

1. Not more than one output at a time should be shorted. Duration of short circuit test should not exceed 30 sec.

2. For DC characterization, the test condition of V_CC= Max corresponds to 3.6V.

ATF22LV10C(Q)Z

0779L–PLD–12/05

1 2 345 6 7...19

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