生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 20 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.69 | 其他特性: | 8 MACROCELLS; 1 EXTERNAL CLOCK; SHARED INPUT/CLOCK |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T20 | 长度: | 25.9 mm |
专用输入次数: | 12 | I/O 线路数量: | 8 |
端子数量: | 20 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 12 DEDICATED INPUTS, 8 I/O |
输出函数: | MACROCELL | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 可编程逻辑类型: | FLASH PLD |
传播延迟: | 15 ns | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.33 mm | 最大供电电压: | 5.5 V |
最小供电电压: | 4.5 V | 标称供电电压: | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
ATF21100 | ETC | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 80MA I(DSS) | CHIP |
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ATF21170 | ETC | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 80MA I(DSS) | MICRO-XVAR |
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ATF-21170 | AGILENT | 0.5-6 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
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ATF-21186 | AGILENT | 0.5-6 GHz General Purpose Gallium Arsenide FET |
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ATF-21186-STR | AGILENT | 0.5-6 GHz General Purpose Gallium Arsenide FET |
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ATF-21186-TR1 | AGILENT | 0.5-6 GHz General Purpose Gallium Arsenide FET |
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