是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | PGA, PGA28(UNSPEC) | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.5 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 90 ns |
其他特性: | HARDWARE & SOFTWARE DATA PROTECTION; DATA RETENTION = 10 YEARS | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | 数据保留时间-最小值: | 10 |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-CPGA-P28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 16.5 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | PGA |
封装等效代码: | PGA28(UNSPEC) | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 页面大小: | 64 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.4 mm |
最大待机电流: | 0.06 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | PERPENDICULAR | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | YES | 宽度: | 14 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT28HC256E-90UM/883 | ATMEL |
获取价格 |
256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs |
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AT28HC256E-90UM/883 | MICROCHIP |
获取价格 |
IC EEPROM 256KBIT 90NS 28CPGA |
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AT28HC256F | ATMEL |
获取价格 |
256 32K x 8 High Speed CMOS E2PROM |
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AT28HC256F-12DC | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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AT28HC256F-12DI | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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AT28HC256F-12DJ | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 |
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AT28HC256F-12DM/883 | ATMEL |
获取价格 |
256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs |
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AT28HC256F-12FM/883 | ATMEL |
获取价格 |
256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs |
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AT28HC256F-12FM/883 | MICROCHIP |
获取价格 |
IC EEPROM 256KBIT 120NS 28FLATPK |
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AT28HC256F-12JC | ATMEL |
获取价格 |
256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs |
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