是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | PGA, PGA28,5X6 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.6 |
最长访问时间: | 90 ns | 其他特性: | AUTOMATIC WRITE |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-CPGA-P28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 16.51 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 32KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | PGA | 封装等效代码: | PGA28,5X6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
页面大小: | 64 words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 Class C | 座面最大高度: | 4.4 mm |
最大待机电流: | 0.0003 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | PERPENDICULAR | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
切换位: | YES | 宽度: | 13.97 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT28HC256F | ATMEL |
获取价格 |
256 32K x 8 High Speed CMOS E2PROM |
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AT28HC256F-12DC | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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AT28HC256F-12DI | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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AT28HC256F-12DJ | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 |
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AT28HC256F-12DM/883 | ATMEL |
获取价格 |
256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs |
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AT28HC256F-12FM/883 | ATMEL |
获取价格 |
256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs |
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AT28HC256F-12FM/883 | MICROCHIP |
获取价格 |
IC EEPROM 256KBIT 120NS 28FLATPK |
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AT28HC256F-12JC | ATMEL |
获取价格 |
256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs |
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AT28HC256F-12JCT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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AT28HC256F-12JI | ATMEL |
获取价格 |
256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs |
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