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AT27BV800-15RC

更新时间： 2024-01-15 07:50:03
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 电池存储内存集成电路光电二极管异步传输模式ATM可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
11页 264K
描述
8-Megabit 512K x 16 or 1024K x 8 Unregulated Battery-Voltage High Speed OTP EPROM

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AT27BV800-15RC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.8最长访问时间：150 ns
其他特性：CAN ALSO BE OPERATED AT 5V备用内存宽度：8
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：OTP ROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.00002 A子类别：OTP ROMs
最大压摆率：0.04 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：12 mmBase Number Matches：1

AT27BV800-15RC 数据手册

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AT27BV800  
Rapid Programming Algorithm  
A 50 µs CE pulse width is used to program. The address is  
set to the first location. VCC is raised to 6.5V and BYTE/VPP  
is raised to 13.0V. Each address is first programmed with  
one 50 µs CE pulse without verification. Then a verifica-  
tion/reprogramming loop is executed for each address. In  
the event a word fails to pass verification, up to 10 succes-  
sive 50 µs pulses are applied with a verification after each  
pulse. If the word fails to verify after 10 pulses have been  
applied, the part is considered failed. After the word verifies  
properly, the next address is selected until all have been  
checked. VPP is then lowered to 5.0V and VCC to 5.0V. All  
words are read again and compared with the original data  
to determine if the device passes or fails.  
9
1...67891011

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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