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Datasheet > 存储 > OTP ROM> AT27BV010-15JIT/R
AT27BV010-15JIT/R PDF预览

AT27BV010-15JIT/R

更新时间： 2024-02-02 01:34:15
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 电池可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
9页 212K
描述
OTP ROM, 128KX8, 150ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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AT27BV010-15JIT/R 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：TSOP1, TSSOP32,.56,20
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.73最长访问时间：150 ns
其他特性：CAN ALSO OPERATE WITH 5V SUPPLYI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e0
长度：12.4 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：OTP ROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP32,.56,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.00001 A
子类别：OTP ROMs最大压摆率：0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：8 mm
Base Number Matches：1

AT27BV010-15JIT/R 数据手册

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AC Programming Characteristics  
Rapid Programming Algorithm  
TA = 25 ± 5°C, VCC = 6.5 ± 0.25V, VPP = 13.0 ± 0.2V  
A 100 µs PGM pulse width is used to program. The ad-  
dress is set to the first location. V is raised to 6.5V and  
CC  
V
is raised to 13.0V. Each address is first programmed  
Test  
PP  
Sym-  
bol  
Limits  
Min Max  
Conditions* (1)  
with one 100 µs PGM pulse without verification. Then a  
verification / reprogramming loop is executed for each ad-  
dress. In the event a byte fails to pass verification, up to  
10 successive 100 µs pulses are applied with a verifica-  
tion after each pulse. If the byte fails to verify after 10  
pulses have been applied, the part is considered failed.  
After the byte verifies properly, the next address is se-  
lected until all have been checked. V is then lowered to  
5.0V and V to 5.0V. All bytes are read again and com-  
pared with the original data to determine if the device  
passes or fails.  
Parameter  
Units  
µs  
Address Setup Time  
CE Setup Time  
2
2
t
t
AS  
µs  
CES  
OE Setup  
Time  
2
µs  
t
OES  
Data Setup  
Time  
2
0
2
µs  
µs  
µs  
t
t
t
DS  
AH  
DH  
PP  
CC  
Address Hold Time  
Data Hold  
Time  
OE High to Out-  
0
2
130  
ns  
µs  
µs  
put Float Delay (2)  
t
t
t
DFP  
VPS  
VCS  
VPP Setup  
Time  
VCC Setup  
Time  
2
PGM Program Pulse Width (3)  
95  
105  
150  
µs  
t
t
PW  
Data Valid from OE  
ns  
OE  
VPP Pulse Rise Time During  
Programming  
50  
ns  
t
PRT  
*AC Conditions of Test:  
Input Rise and Fall Times (10% to 90%)...............20 ns  
Input Pulse Levels....................................0.45V to 2.4V  
Input Timing Reference Level....................0.8V to 2.0V  
Output Timing Reference Level.................0.8V to 2.0V  
Notes: 1. VCC must be applied simultaneously or before VPP  
and removed simultaneously or after VPP  
.
2. This parameter is only sampled and is not 100%  
tested. Output Float is defined as the point where  
data is no longer driven —see timing diagram.  
3. Program Pulse width tolerance is 100 µsec ± 5%.  
Atmel’s 27BV010 Integrated  
Product Identification Code (1)  
Pins  
Hex  
Codes  
Data  
A0 O7 O6 O5 O4 O3 O2 O1 O0  
Manufacturer  
Device Type  
0
1
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
1
1
0
0
1
1E  
05  
Note: 1. The AT27BV010 has the same Product Identification  
Code as the AT27C010. Both are programming  
compatible.  
3-30  
AT27BV010  
1...56789

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