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AT1228S32

更新时间： 2024-01-13 02:26:56
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POSEICO /
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4页 47K
描述
PHASE CONTROL THYRISTOR

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AT1228S32 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
最大直流栅极触发电流：400 mA最大直流栅极触发电压：4 V
通态非重复峰值电流：20000 A最大通态电流：1100000 A
最高工作温度：125 °C断态重复峰值电压：3200 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

AT1228S32 数据手册

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Via N. Lorenzi 8 - I 16152 GENOVA - ITALY  
Tel. int. +39/(0)10 6556549 - (0)10 6556488  
Fax Int. +39/(0)10 6442510  
Ansaldo Trasporti s.p.a.  
Unita' Semiconduttori  
ANSALDO  
Tx 270318 ANSUSE I -  
PHASE CONTROL THYRISTOR AT1228  
Repetitive voltage up to  
Mean on-state current  
3200 V  
1275 A  
20 kA  
Surge current  
FINAL SPECIFICATION  
feb 97 - ISSUE : 06  
Tj  
[°C]  
Symbol  
Characteristic  
Conditions  
Value  
Unit  
BLOCKING  
V RRM  
V RSM  
V DRM  
I RRM  
I DRM  
Repetitive peak reverse voltage  
Non-repetitive peak reverse voltage  
Repetitive peak off-state voltage  
Repetitive peak reverse current  
Repetitive peak off-state current  
125 3200  
125 3300  
125 3200  
V
V
V
V=VRRM  
V=VDRM  
125  
125  
100  
100  
mA  
mA  
CONDUCTING  
I T (AV)  
I T (AV)  
I TSM  
I² t  
Mean on-state current  
Mean on-state current  
Surge on-state current  
I² t  
180° sin, 50 Hz, Th=55°C, double side cooled  
180° sin, 50 Hz, Tc=85°C, double side cooled  
sine wave, 10 ms  
1275  
1100  
20  
A
A
125  
kA  
without reverse voltage  
2000 x1E3  
2.5  
A²s  
V
V T  
On-state voltage  
On-state current = 2900 A  
25  
V T(TO)  
r T  
Threshold voltage  
On-state slope resistance  
125  
1.2  
V
125 0.450  
mohm  
SWITCHING  
di/dt  
dv/dt  
td  
Critical rate of rise of on-state current, min. From 75% VDRM up to 1300A, gate 10V 5ohm 125  
200  
A/µs  
V/µs  
µs  
Critical rate of rise of off-state voltage, min. Linear ramp up to 70% of VDRM 125 1000  
Gate controlled delay time, typical  
Circuit commutated turn-off time, typical  
Reverse recovery charge  
VD=100V, gate source 25V, 10 ohm , tr=.5 µs  
25  
1
tq  
dV/dt = 20 V/µs linear up to 75% VDRM  
di/dt=-20 A/µs, I= 870 A  
VR= 50 V  
200  
µs  
Q rr  
I rr  
I H  
125  
µC  
A
Peak reverse recovery current  
Holding current, typical  
VD=5V, gate open circuit  
VD=5V, tp=30µs  
25  
25  
300  
700  
mA  
mA  
I L  
Latching current, typical  
GATE  
V GT  
Gate trigger voltage  
VD=5V  
25  
25  
3.5  
300  
0.25  
30  
V
mA  
V
I GT  
Gate trigger current  
VD=5V  
V GD  
V FGM  
Non-trigger gate voltage, min.  
Peak gate voltage (forward)  
Peak gate current  
VD=VDRM  
125  
V
I
FGM  
10  
A
V RGM  
P GM  
P G  
Peak gate voltage (reverse)  
Peak gate power dissipation  
Average gate power dissipation  
5
V
Pulse width 100 µs  
150  
2
W
W
MOUNTING  
R th(j-h)  
Thermal impedance, DC  
Thermal impedance  
Junction to heatsink, double side cooled  
Case to heatsink, double side cooled  
21  
6
°C/kW  
°C/kW  
R th(c-h)  
T j  
F
Operating junction temperature  
Mounting force  
-30 / 125  
22.0 / 24.5  
520  
°C  
kN  
g
Mass  
ORDERING INFORMATION : AT1228 S 32  
VDRM&VRRM/100  
standard specification  
1234

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