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AS7C33256PFD36A-133TQI PDF预览

AS7C33256PFD36A-133TQI

更新时间： 2024-02-15 15:52:42
品牌 Logo 应用领域
ALSC 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
20页 527K
描述
3.3V 256K x 32/36 pipelined burst synchronous SRAM

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AS7C33256PFD36A-133TQI 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：QFP包装说明：LQFP, QFP100,.63X.87
针数：100Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.49最长访问时间：4 ns
其他特性：FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTUREI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PQFP-G100JESD-609代码：e3
长度：20 mm内存密度：9437184 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：36
功能数量：1端子数量：100
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX36
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LQFP封装等效代码：QFP100,.63X.87
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：245
电源：2.5/3.3,3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm最大待机电流：0.03 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.425 mA最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：14 mm

AS7C33256PFD36A-133TQI 数据手册

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AS7C33256PFD32A  
AS7C33256PFD36A  
®
[4]  
Synchronous truth table  
[2]  
CE01  
H
L
CE1  
X
L
CE2  
X
X
X
H
H
L
ADSP ADSC ADV WRITE  
OE  
X
X
X
X
X
L
Address accessed  
NA  
CLK  
Operation  
Deselect  
DQ  
Hi−Z  
Hi−Z  
Hi−Z  
Hi−Z  
Hi−Z  
Q
X
L
L
X
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
X
X
X
X
X
X
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
NA  
Deselect  
L
L
H
L
NA  
Deselect  
L
X
X
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
H
X
X
X
X
X
L
NA  
Deselect  
L
H
L
NA  
Deselect  
L
X
X
L
External  
External  
External  
External  
Next  
Begin read  
L
L
L
H
L
Begin read  
Hi−Z  
Q
L
L
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
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X
H
X
Begin read  
L
L
L
H
L
Begin read  
Hi−Z  
Q
X
X
X
X
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H
H
H
L
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
L
Continue read  
Continue read  
Suspend read  
Suspend read  
Continue read  
Continue read  
Suspend read  
Suspend read  
Begin write  
Continue write  
Continue write  
Suspend write  
Suspend write  
L
H
L
Next  
Hi−Z  
Q
H
H
L
Current  
Current  
Next  
H
L
Hi−Z  
Q
L
H
L
Next  
Hi−Z  
Q
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H
X
L
Current  
Current  
External  
Next  
H
X
X
X
X
X
Hi−Z  
3
D
X
H
X
H
X
X
X
X
H
H
H
H
L
D
D
D
D
L
L
Next  
H
H
L
Current  
Current  
L
1 X = don’t care, L = low, H = high  
2 For WRITE, L means any one or more byte write enable signals (BWa, BWb, BWc or BWd) and BWE are LOW or GWE is LOW. WRITE = HIGH for all  
BWx, BWE, GWE HIGH. See "Write enable truth table (per byte)," on page 6 for more information.  
3 For write operation following a READ, OE must be high before the input data set up time and held high throughout the input hold time  
4 ZZ pin is always Low.  
12/1/04, v.1.2  
Alliance Semiconductor  
P. 7 of 20  
1...45678910...20

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS7C33256PFD36A-133TQIN ALSC

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 		3.3V 256K x 32/36 pipelined burst synchronous SRAM
AS7C33256PFD36A-133TQIN ISSI

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AS7C33256PFD36A-150BC ALSC

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 		3.3V 256K x 32/36 pipelined burst synchronous SRAM
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