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AS7C251MNTF18A-75TQC

更新时间： 2024-02-08 19:56:13
品牌 Logo 应用领域
ALSC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 433K
描述
2.5V 1M x 18 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD

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AS7C251MNTF18A-75TQC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：QFP
包装说明：LQFP,针数：100
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.53
Is Samacsys：N最长访问时间：7.5 ns
其他特性：FLOW-THROUGH ARCHITECTUREJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e3长度：20 mm
内存密度：18874368 bit内存集成电路类型：ZBT SRAM
内存宽度：18功能数量：1
端子数量：100字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX18封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LQFP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：245认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm最大供电电压 (Vsup)：2.625 V
最小供电电压 (Vsup)：2.375 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：14 mmBase Number Matches：1

AS7C251MNTF18A-75TQC 数据手册

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AS7C251MNTF18A  
®
State diagram for NTD SRAM  
Burst  
Read  
Burs  
Read  
Burst  
Read  
Dsel  
Dsel  
Burst  
Burst  
Write  
Burst  
Burst  
Write  
Writ  
Absolute maximum ratings  
Parameter  
Power supply voltage relative to GND  
Input voltage relative to GND (input pins)  
Input voltage relative to GND (I/O pins)  
Power dissipation  
Symbol  
DD, VDDQ  
Min  
–0.3  
–0.3  
–0.3  
–
Max  
+3.6  
Unit  
V
V
VIN  
VIN  
Pd  
VDD + 0.3  
VDDQ + 0.3  
1.8  
V
V
W
Short circuit output current  
IOUT  
Tstg  
Tbias  
–
50  
mA  
oC  
oC  
Storage temperature  
–65  
–65  
+150  
Temperature under bias  
+135  
Note: Stresses greater than those listed in this table may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only, and functional operation of the  
device at these or any other conditions outside those indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum  
rating conditions may affect reliability.  
Recommended operating conditions  
Parameter  
Supply voltage for inputs  
Supply voltage for I/O  
Ground supply  
Symbol  
VDD  
Min  
2.375  
2.375  
0
Nominal  
Max  
2.625  
2.625  
0
Unit  
V
2.5  
2.5  
0
VDDQ  
Vss  
V
V
12/23/04, v 1.1  
Alliance Semiconductor  
P. 7 of 18  
1...45678910...18

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS7C251MNTF18A-75TQCN ALSC

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 		2.5V 1M x 18 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
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AS7C251MNTF32A-10TQC ISSI

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 		ZBT SRAM, 1MX32, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

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