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AS4SD8M16DG-75/ET

更新时间： 2024-01-21 01:43:43
品牌 Logo 应用领域
AUSTIN 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
51页 6953K
描述
128 Mb: 8 Meg x 16 SDRAM Synchronous DRAM Memory

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AS4SD8M16DG-75/ET 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2,
针数：54Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.19Is Samacsys：N
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：5.4 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码：R-PDSO-G54
JESD-609代码：e4长度：22.22 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：54
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：8MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：PALLADIUM GOLD
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

AS4SD8M16DG-75/ET 数据手册

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SDRAM  
AS4SD8M16  
Austin Semiconductor, Inc.  
128 Mb: 8 Meg x 16 SDRAM  
PIN ASSIGNMENT  
(Top View)  
Synchronous DRAM Memory  
54-Pin TSOP  
FEATURES  
• Full Military temp (-55°C to 125°C) processing avail-  
able  
• Configuration: 8 Meg x 16 (2 Meg x 16 x 4 banks)  
• Fully synchronous; all signals registered on positive  
edge of system clock  
VDD  
VSS  
1
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
DQ0  
DQ15  
VSSQ  
DQ14  
DQ13  
2
VDDQ  
3
DQ1  
DQ2  
VSSQ  
DQ3  
DQ4  
4
• Internal pipelined operation; column address can be  
changed every clock cycle  
5
VDD  
Q
6
• Internal banks for hiding row access/precharge  
• Programmable burst lengths: 1, 2, 4, 8 or full page  
• Auto Precharge, includes CONCURRENT AUTO  
PRECHARGE and Auto Refresh Modes  
• Self Refresh Mode (IT)  
DQ12  
DQ11  
VSSQ  
DQ10  
DQ9  
7
8
VDDQ  
9
DQ5  
DQ6  
VSSQ  
DQ7  
VDD  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
• 64ms, 4,096-cycle refresh (IT)  
• <24ms 4,096 cycle recfresh (XT)  
VDD  
Q
DQ8  
VSS  
• WRITE Recovery (tWR = “2 CLK”)  
• LVTTL-compatible inputs and outputs  
• Single +3.3V ±0.3V power supply  
NC  
DQML  
WE\  
CAS\  
RAS\  
CS\  
DQMH  
CLK  
CKE  
NC  
OPTIONS  
MARKING  
•
Plastic Package - OCPL*  
54-pin TSOP (400 mil)  
DG No. 901  
A11  
A9  
BA0  
BA1  
A10  
A0  
•
•
Timing (Cycle Time)  
7.5ns @ CL = 3 (PC133) or  
7.5ns @ CL = 2 (PC100)  
A8  
-75  
A7  
A6  
A1  
A2  
A5  
Operating Temperature Ranges  
A3  
26  
27  
A4  
-Industrial Temp (-40°C to 85° C)  
IT  
VDD  
Vss  
-Industrial Plus Temp (-45°C to +105°C) ET  
-Military Temp (-55°C to 125°C)  
XT***  
KEY TIMING PARAMETERS  
8 Meg x 16  
Configuration  
2 Meg x 16 x 4 banks  
4K  
SPEED  
CLOCK  
ACCESS TIME  
SETUP  
HOLD  
TIME  
0.8ns  
0.8ns  
Refresh Count  
GRADE FREQUENCY CL = 2** CL = 3**  
-75  
-75  
TIME  
1.5ns  
1.5ns  
133 MHz  
100 MHz  
–
5.4ns  
–
Row Addressing  
Bank Addressing  
Column Addressing  
4K (A0-A11)  
4 (BA0, BA1)  
512 (A0-A8)  
6ns  
*Off-center parting line  
**CL = CAS (READ) latency  
***Consult Factory  
Note: “\” indicates an active low.  
For more products and information  
please visit our web site at  
www.austinsemiconductor.com  
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
AS4SD8M16  
Rev. 0.5 04/05  
1
1234567...51

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS4SD8M16DG-75/IT AUSTIN

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 		128 Mb: 8 Meg x 16 SDRAM Synchronous DRAM Memory
AS4SD8M16DG-75/XT AUSTIN

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 		128 Mb: 8 Meg x 16 SDRAM Synchronous DRAM Memory
AS4SD8M16DGC/IT MICROSS

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 		Synchronous DRAM, 8MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54
AS4SD8M16DGC/XT MICROSS

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 		Synchronous DRAM, 8MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54
AS4SD8M16DGC-75/ET MICROSS

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 		Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
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