5秒后页面跳转
AS4LC4M4E0 PDF预览

AS4LC4M4E0

更新时间: 2022-01-22 08:55:00
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
15页 266K
描述
4M x 4 CMOS DRAM (EDO) Family

AS4LC4M4E0 数据手册

 浏览型号AS4LC4M4E0的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS4LC4M4E0的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS4LC4M4E0的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS4LC4M4E0的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS4LC4M4E0的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS4LC4M4E0的Datasheet PDF文件第9页 
AS4LC4M4E0  
AS4LC4M4E1  
®
Write cycle  
-50  
-60  
Symbol Parameter  
Min  
0
Max  
Min  
0
Max  
Unit  
ns  
Notes  
11  
tWCS  
tWCH  
tWP  
Write command setup time  
Write command hold time  
Write command pulse width  
Write command to RAS lead time  
Write command to CAS lead time  
Data-in setup time  
10  
10  
10  
8
10  
10  
10  
10  
0
ns  
11  
ns  
tRWL  
tCWL  
tDS  
ns  
ns  
0
ns  
12  
12  
tDH  
Data-in hold time  
8
10  
ns  
Read-modify-write cycle  
-50  
-60  
Symbol Parameter  
Min  
113  
67  
Max  
Min  
135  
77  
Max  
Unit  
ns  
Notes  
tRWC  
tRWD  
tCWD  
tAWD  
Read-write cycle time  
RAS to WE delay time  
ns  
11  
11  
11  
CAS to WE delay time  
32  
35  
ns  
Column address to WE delay time  
42  
47  
ns  
Refresh cycle  
-50  
-60  
Symbol Parameter  
Min  
5
Max  
Min  
5
Max  
Unit  
ns  
Notes  
tCSR  
tCHR  
tRPC  
CAS setup time (CAS-before-RAS  
)
3
3
CAS hold time (CAS-before-RAS)  
8
10  
0
ns  
RAS precharge to CAS hold time  
0
ns  
CAS precharge time  
(CBR counter test)  
tCPT  
10  
10  
ns  
4/11/01; V.1.1  
Alliance Semiconductor  
P. 6 of 15  

与AS4LC4M4E0相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
AS4LC4M4E0-45JC ALSC EDO DRAM, 4MX4, 45ns, CMOS, PDSO24

获取价格

AS4LC4M4E0-45TC ALSC EDO DRAM, 4MX4, 45ns, CMOS, PDSO24

获取价格

AS4LC4M4E0-50JC ETC x4 EDO Page Mode DRAM

获取价格

AS4LC4M4E0-50JI ETC x4 EDO Page Mode DRAM

获取价格

AS4LC4M4E0-50TC ETC x4 EDO Page Mode DRAM

获取价格

AS4LC4M4E0-50TI ETC x4 EDO Page Mode DRAM

获取价格