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AS4C4M4F1-60TC

更新时间: 2024-01-07 02:55:36
品牌 Logo 应用领域
ALSC 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 271K
描述
5V 4M×4 CMOS DRAM (Fast Page mode)

AS4C4M4F1-60TC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:SOP, TSOP24/26,.36
针数:26/24Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.9Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G24JESD-609代码:e0
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:4MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:TSOP24/26,.36
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
自我刷新:YES最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.12 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

AS4C4M4F1-60TC 数据手册

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AS4C4M4F0  
AS4C4M4F1  
®
4/11/01; v.0.9  
Alliance Semiconductor  
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