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AS4C256K16FO-50JC

更新时间： 2022-10-11 11:57:57
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ALSC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
25页 518K
描述
5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode)

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AS4C256K16FO-50JC 数据手册

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AS4C256K16FO  
®
Write cycle  
(V = 5V 10%, GND = 0V, T = 0° C to +70° C)  
a
CC  
–30  
–25  
–35  
–50  
Standard  
Symbol  
Parameter  
Column address setup time  
Min Max Min Max Min Max Min Max  
Unit  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Notes  
tASC  
0
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0
9
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
tCAH Column address hold time  
tAWR Column address hold time to RAS  
tWCS Write command setup time  
tWCH Write command hold time  
tWCR Write command hold time to RAS  
19  
0
26  
0
28  
0
30  
0
11  
11  
5
5
5
9
19  
5
26  
5
28  
5
30  
9
tWP  
Write command pulse width  
tRWL Write command to RAS lead time  
tCWL Write command to CAS lead time  
7
10  
10  
0
11  
11  
0
12  
12  
0
5
tDS  
Data-in setup time  
Data-in hold time  
0
12  
12  
tDH  
5
5
5
9
tDHR Data-in hold time to RAS  
19  
26  
28  
30  
Read-modify-write cycle  
(V = 5V 10%, GND = 0V, T = 0° C to +70° C)  
a
CC  
–30  
–25  
–35  
–50  
Standard  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max Min Max  
Unit  
ns  
Notes  
tRWC Read-write cycle time  
tRWD RAS to WE delay time  
100  
34  
17  
21  
7
–
–
–
–
–
–
100  
50  
26  
32  
10  
15  
–
–
–
–
–
–
105  
54  
28  
35  
10  
15  
–
–
–
–
–
–
120  
60  
30  
40  
12  
15  
–
–
–
–
–
–
ns  
11  
11  
11  
tCWD CAS to WE delay time  
ns  
tAWD Column address to WE delay time  
tRSH(W) CAS to RAS hold time (write)  
tCAS(W) CAS pulse width (write)  
ns  
ns  
15  
ns  
Fast page mode cycle  
(V = 5V 10%, GND = 0V, T = 0° C to +70° C)  
CC  
a
–25  
–30  
–35  
–50  
Standard  
Symbol  
Parameter  
Read or write cycle time  
Access time from CAS precharge  
CAS precharge time  
Min Max Min Max Min Max Min Max Unit  
Notes  
14  
tPC  
8
–
–
14  
–
12  
–
–
19  
–
14  
–
–
21  
–
25  
–
–
23  
–
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tCAP  
tCP  
13  
3
3
4
5
tPCM  
Fast page mode RMW cycle  
56  
44  
25  
–
56  
44  
30  
–
58  
46  
35  
–
60  
50  
50  
–
tCRW Page mode CAS pulse width (RMW)  
tRASP RAS pulse width  
–
–
–
–
75K  
75K  
75K  
75K  
4/11/01; V.0.9.1  
Alliance Semiconductor  
P. 5 of 25  
12345678...25

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