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AS4C256K16FO-50JC

更新时间： 2022-10-11 11:57:57

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ALSC		动态存储器
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25页	518K
描述
5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode)

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AS4C256K16FO-50JC 数据手册

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AS4C256K16FO

AC parameters common to all waveforms

(V = 5V 10%, GND = 0V, T = 0° C to +70° C)

–25

–30

–35

–50

Standard

Symbol

Parameter

Random read or write cycle time

RAS precharge time

Min Max Min Max Min Max Min Max Unit Notes

t_RC

–

t_RP

t_RAS

t_CAS

t_RCD

t_RAD

RAS pulse width

75K

–

75K

–

75K

–

75K

–

CAS pulse width

RAS to CAS delay time

RAS to column address delay time

–

t_RSH(R)CAS to RAS hold time (read cycle)

t_CSH

t_CRP

t_ASR

t_RAH

t_T

RAS to CAS hold time

CAS to RAS precharge time

Row address setup time

Row address hold time

Transition time (rise and fall)

Refresh period

–

1.5

–

1.5

–

1.5

–

4,5

t_REF

t_CLZ

–

CAS to output in low Z

–

Read cycle

(V = 5V 10%, GND = 0V, T = 0° C to + 70° C)

–30

–25

–35

–50

Standard

Symbol

Parameter

Min Max Min Max Min

Max Min Max Unit Notes

t_RAC

t_CAC

t_AA

Access time from RAS

Access time from CAS

Access time from address

–

6,13

7,13

–

t_AR(R)Column add hold from RAS

t_RCS

t_RCH

t_RRH

t_RAL

t_CPN

t_OFF

Read command setup time

Read command hold time to CAS

Read command hold time to RAS

Column address to RAS Lead time

CAS precharge time

–

Output buffer turn-off time

8,10

4/11/01; V.0.9.1

Alliance Semiconductor

P. 4 of 25

1 2 345 6 7...25

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