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Datasheet > 存储 > DRAM> AS4C256K16F0-35JI
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AS4C256K16F0-35JI

更新时间： 2024-01-19 15:32:30
品牌 Logo 应用领域
ALSC 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
25页 518K
描述
5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode)

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AS4C256K16F0-35JI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP40/44,.46,32
针数：44Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.87访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：35 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G40
JESD-609代码：e0长度：18.41 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：40
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP40/44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：512
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.19 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

AS4C256K16F0-35JI 数据手册

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AS4C256K16FO  
®
Absolute maximum ratings  
Parameter  
Symbol  
VIN  
Min  
–1.0  
–1.0  
–1.0  
0
Max  
Unit  
V
Input voltage  
+7.0  
+7.0  
+7.0  
+70  
+150  
260 × 10  
1
Output voltage  
VOUT  
VCC  
V
Power supply voltage  
Operating temperature  
Storage temperature (plastic)  
Soldering temperature × time  
Power dissipation  
V
TOPR  
TSTG  
TSOLDER  
PD  
°C  
–55  
–
°C  
°C × sec  
W
–
Short circuit output current  
Latch-up current  
IOUT  
–
50  
mA  
mA  
200  
–
Note: Stresses greater than those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional  
operation of the device at these or any other conditions outside those indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to  
absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.  
DC electrical characteristics  
(V = 5 10%, GND = 0V, T = 0° C to +70° C)  
a
CC  
–25  
–30  
–35  
–50  
Parameter  
Symbol  
IIL  
Test conditions  
Min Max Min Max Min Max Min Max Unit Note  
Input leakage  
current  
0V ≤ VIN ≤ + 5.5V  
pins not under test = 0V  
–10 10 –10 10 –10 10 –10 10 µA  
Output leakage  
current  
DOUT disabled,  
0V ≤ VOUT ≤ + 5.5V  
IOL  
–10 10 –10 10 –10 10 –10 10 µA  
Operating  
power supply  
current  
RAS, UCAS, LCAS, address  
cycling; tRC = min  
ICC1  
–
–
200  
2.0  
–
–
180  
2.0  
–
–
160  
2.0  
–
–
140 mA 1,2  
2.0 mA  
TTL standby  
power supply  
current  
ICC2  
RAS = UCAS = LCAS = VIH  
Average power  
supply current,  
RAS refresh  
mode  
RAS cycling,  
UCAS = LCAS = VIH,  
ICC3  
–
120  
–
200  
–
190  
–
140 mA  
1
tRC = min  
Fast page mode  
average power  
supply current  
RAS = UCAS = LCAS = VIL,  
address cycling: tSC = min  
ICC4  
ICC5  
ICC6  
–
–
–
130  
0.60  
120  
–
–
–
190  
1.0  
–
–
–
180  
1.0  
–
–
–
70 mA 1,2  
1.0 mA  
CMOS standby  
power supply  
current  
RAS = UCAS = LCAS =  
V
CC – 0.2V  
CAS-before-RAS  
refresh power  
supply current  
RAS, UCAS, LCAS, cycling;  
RC = min  
200  
190  
140 mA  
1
t
VOH  
VOL  
IOUT = – 5.0 mA  
IOUT = 4.2 mA  
2.4  
–
–
2.4  
–
–
2.4  
–
–
2.4  
–
–
V
V
Output voltage  
0.4  
0.4  
0.4  
0.4  
RAS = UCAS = LCAS = VIL, WE  
= OE = A0 – A8 = VCC –0.2V,  
DQ0 – DQ15 = VCC – 0.2V, 0.2V  
are open  
Self refresh  
current  
ICC7  
–
2.0  
–
2.0  
–
2.0  
–
2.0 mA  
4/11/01; V.0.9.1  
Alliance Semiconductor  
P. 3 of 25  
1234567...25

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