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AS4C256K16F0-25JI

更新时间： 2024-02-29 21:27:02
品牌 Logo 应用领域
ALSC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
25页 518K
描述
5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode)

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AS4C256K16F0-25JI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP40/44,.46,32
针数：44Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.87Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE最长访问时间：25 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G40JESD-609代码：e0
长度：18.41 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：40字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP40/44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：512座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES最大待机电流：0.0006 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

AS4C256K16F0-25JI 数据手册

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AS4C256K16FO  
®
Write cycle  
(V = 5V 10%, GND = 0V, T = 0° C to +70° C)  
a
CC  
–30  
–25  
–35  
–50  
Standard  
Symbol  
Parameter  
Column address setup time  
Min Max Min Max Min Max Min Max  
Unit  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Notes  
tASC  
0
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0
9
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
tCAH Column address hold time  
tAWR Column address hold time to RAS  
tWCS Write command setup time  
tWCH Write command hold time  
tWCR Write command hold time to RAS  
19  
0
26  
0
28  
0
30  
0
11  
11  
5
5
5
9
19  
5
26  
5
28  
5
30  
9
tWP  
Write command pulse width  
tRWL Write command to RAS lead time  
tCWL Write command to CAS lead time  
7
10  
10  
0
11  
11  
0
12  
12  
0
5
tDS  
Data-in setup time  
Data-in hold time  
0
12  
12  
tDH  
5
5
5
9
tDHR Data-in hold time to RAS  
19  
26  
28  
30  
Read-modify-write cycle  
(V = 5V 10%, GND = 0V, T = 0° C to +70° C)  
a
CC  
–30  
–25  
–35  
–50  
Standard  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max Min Max  
Unit  
ns  
Notes  
tRWC Read-write cycle time  
tRWD RAS to WE delay time  
100  
34  
17  
21  
7
–
–
–
–
–
–
100  
50  
26  
32  
10  
15  
–
–
–
–
–
–
105  
54  
28  
35  
10  
15  
–
–
–
–
–
–
120  
60  
30  
40  
12  
15  
–
–
–
–
–
–
ns  
11  
11  
11  
tCWD CAS to WE delay time  
ns  
tAWD Column address to WE delay time  
tRSH(W) CAS to RAS hold time (write)  
tCAS(W) CAS pulse width (write)  
ns  
ns  
15  
ns  
Fast page mode cycle  
(V = 5V 10%, GND = 0V, T = 0° C to +70° C)  
CC  
a
–25  
–30  
–35  
–50  
Standard  
Symbol  
Parameter  
Read or write cycle time  
Access time from CAS precharge  
CAS precharge time  
Min Max Min Max Min Max Min Max Unit  
Notes  
14  
tPC  
8
–
–
14  
–
12  
–
–
19  
–
14  
–
–
21  
–
25  
–
–
23  
–
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tCAP  
tCP  
13  
3
3
4
5
tPCM  
Fast page mode RMW cycle  
56  
44  
25  
–
56  
44  
30  
–
58  
46  
35  
–
60  
50  
50  
–
tCRW Page mode CAS pulse width (RMW)  
tRASP RAS pulse width  
–
–
–
–
75K  
75K  
75K  
75K  
4/11/01; V.0.9.1  
Alliance Semiconductor  
P. 5 of 25  
12345678...25

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与AS4C256K16F0-25JI相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
AS4C256K16F0-25TC ALSC 5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode)

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