Datasheet > AS4C1M16S-7TCN

AS4C1M16S-7TCN

更新时间： 2024-02-12 22:10:26

品牌	Logo	应用领域
ALSC		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
54页	1530K
描述
1M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AS4C1M16S-7TCN 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	50
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	Factory Lead Time：	8 weeks
风险等级：	1.66	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G50	长度：	20.95 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	50
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

AS4C1M16S-7TCN 数据手册

AS4C1M16S-C&I

Figure 2. Block Diagram

CLOCK

BUFFER

CLK

CKE

2048x256x16

CELL ARRAY

(BANK #0)

CS#

RAS#

CAS#

WE#

COMMAND

DECODER

CONTROL

SIGNAL

GENERATOR

Column Decoder

DQ0

DQs

COLUMN

COUNTER

Buffer

A10/AP

MODE

DQ15

LDQM, UDQM

ADDRESS

BUFFER

A11

2048x256x16

CELL ARRAY

(BANK #1)

REFRESH

COUNTER

Column Decoder

Confidential

Rev. 2.0

March /2015

1 2 345 6 7...54

下载PDF

与AS4C1M16S-7TCN相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AS4C1M16S-CI	ALSC	Programmable Mode registers	获取价格
AS4C256K16E0	ALSC	5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)	获取价格
AS4C256K16E0-30	ALSC	5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)	获取价格
AS4C256K16E0-30JC	ALSC	5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)	获取价格
AS4C256K16E0-35	ALSC	5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)	获取价格
AS4C256K16E0-35JC	ALSC	5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)	获取价格