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AS4C1M16S-6TIN

更新时间： 2024-01-15 05:33:48

品牌	Logo	应用领域
ALSC		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
54页	1530K
描述
1M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)

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AS4C1M16S-6TIN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSOP2,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	8 weeks
风险等级：	2.24	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G50	长度：	20.95 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	50	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

AS4C1M16S-6TIN 数据手册

AS4C1M16S-C&I

1M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)

Advanced (Rev. 2.0, March /2015)

Features

Overview

Fast access time: 5.4/5.4ns

Fast clock rate: 166/143 MHz

Self refresh mode: standard

Internal pipelined architecture

512K word x 16-bit x 2-bank

Programmable Mode registers

- CAS Latency: 2, or 3

- Burst Length: 1, 2, 4, 8, or full page

- Burst Type: Sequential or Interleaved

- Burst stop function

Individual byte controlled by LDQM and UDQM

Auto Refresh and Self Refresh

4096 refresh cycles/64ms

CKE power down mode

Industrial Temperature: -40~85 C

The 16Mb SDRAM is a high-speed CMOS

synchronous DRAM containing 16 Mbits. It is

internally configured as a dual 512K word x 16

DRAM with a synchronous interface (all signals are

registered on the positive edge of the clock signal,

CLK). Each of the 512K x 16 bit banks is organized

as 2048 rows by 256 columns by 16 bits. Read and

write accesses to the SDRAM are burst oriented;

accesses start at a selected location and continue

for a programmed number of locations in a

programmed sequence. Accesses begin with the

registration of a BankActivate command which is



then followed by a Read or Write command.

The SDRAM provides for programmable Read

or Write burst lengths of 1, 2, 4, 8, or full page, with

a burst termination option. An auto precharge

function may be enabled to provide a self-timed row

precharge that is initiated at the end of the burst

sequence. The refresh functions, either Auto or Self

Refresh are easy to use. By having a programmable

mode register, the system can choose the most

suitable modes to maximize its performance. These

devices are well suited for applications requiring

high memory bandwidth and particularly well suited

to high performance PC applications

JEDEC standard +3.3V 0.3V power supply



Operating temperature range

- Commercial (0 ~ 70°C)

- Industrial (-40 ~ 85°C)

Interface: LVTTL

50-pin 400 mil plastic TSOP II package

-Pb and Halogen Free



Table 1. Key Specifications

AS4C1M16S-C&I

-6/7

tCK3

tAC3

tRAS

tRC

Clock Cycle time(min.)

Access time from CLK (max.)

Row Active time(min.)

Row Cycle time(min.)

6/7

5.4/5.4 ns

42/42 ns

60/63 ns

Table 2.Ordering Information

Part Number

Frequency Package

Temperature Temp Range

AS4C1M16S-7TCN

AS4C1M16S-6TIN

143MHz

166MHz

50-Pin TSOPII Commercial

50-Pin TSOPII Industrial

0~70

-40~85

℃

T: indicates TSOP II package

C: Commercial

I: Industrial

N: indicates Pb and Halogen Free

Confidential

Rev. 2.0

March /2015

123 4 5 6 7...54

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AS4C1M16S-7TCN	ALSC	1M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)	获取价格
AS4C1M16S-CI	ALSC	Programmable Mode registers	获取价格
AS4C256K16E0	ALSC	5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)	获取价格
AS4C256K16E0-30	ALSC	5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)	获取价格
AS4C256K16E0-30JC	ALSC	5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)	获取价格
AS4C256K16E0-35	ALSC	5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)	获取价格

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