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AS4C14400-70TC

更新时间: 2024-01-25 12:42:55
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ALSC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 395K
描述
1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)

AS4C14400-70TC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:SOP, TSOP20/26(UNSPEC)针数:20
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.91
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:70 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G20JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:20
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:TSOP20/26(UNSPEC)
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
自我刷新:NO最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.06 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

AS4C14400-70TC 数据手册

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AS4C14400  
®
Fast page mode cycle  
-40  
-50  
-60  
-70  
Symbol  
Parameter  
Min  
30  
Max  
Min  
Max  
Min  
40  
Max  
Min  
45  
Max  
Unit  
ns  
Notes  
14  
Read-write cycle time  
(fast page)  
t
t
t
t
t
t
35  
PC  
Access time from CAS precharge  
25  
30  
35  
40  
ns  
13  
CAP  
CP  
CAS precharge time  
(fast page)  
5
10  
76  
54  
50  
10  
85  
60  
60  
10  
96  
69  
70  
ns  
Fast page mode RMW cycle  
65  
45  
40  
ns  
PCM  
CRW  
RASP  
Page mode CAS pulse width  
(RMW)  
ns  
RAS pulse width  
100K  
100K  
100K  
100K  
ns  
Shaded areas contain advance information.  
Refresh cycle  
-40  
-50  
-60  
-70  
Symbol  
Parameter  
Min  
10  
10  
0
Max  
Min  
10  
10  
0
Max  
Min  
10  
15  
0
Max  
Min  
10  
15  
0
Max  
Unit  
ns  
Notes  
3
t
t
t
CAS setup time (CAS-before-RAS)  
CAS hold time (CAS-before-RAS)  
RAS precharge to CAS hold time  
CSR  
CHR  
RPC  
ns  
3
ns  
CAS precharge time  
(CAS-before-RAS counter test)  
t
5
10  
10  
10  
ns  
CPT  
Shaded areas contain advance information.  
Output enable  
-40  
-50  
-60  
-70  
Std  
Symbol  
Parameter  
Min  
5
Max  
Min  
10  
Max  
Min  
10  
Max  
Min  
10  
Max  
Unit  
ns  
Notes  
t
t
t
RAS hold time referenced to OE  
OE access time  
ROH  
OEA  
OED  
10  
13  
15  
18  
ns  
OE to data delay  
10  
13  
15  
18  
ns  
Output buffer turnoff delay  
from OE  
t
t
10  
13  
15  
18  
ns  
ns  
8, 10  
OEZ  
OE command hold time  
10  
13  
15  
18  
OEH  
Shaded areas contain advance information.  
6

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