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AS2M016120P

更新时间： 2024-09-25 18:06:59

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安邦 - ANBON		/
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TO-247-3

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AS2M016120P 数据手册

AS2M016120P

N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET

Product Summary

I_D@25℃

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

1200V

22.3mΩ@18V

120A

Feature

Application



High Blocking Voltage With Low On-Resistance



Solar and UPS inverters

EV motor drive

High Speed Switching With Low Capacitance

Easy to Parallel and Simple to Drive

High voltage DC/DC converters

Switched mode power supplies

Load switch

Package

Marking

Circuit diagram

AS2M016120P

XXXXXX

TO-247-3

Absolute maximum ratings (T_c=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Symbol

V_DSmax

V_GSmax

V_GSOP

I_D

Test Condition

V_GS= 0V, I_D=100µA

Value

1200

Unit

Absolute maximum values

Recommended operational values

V_GS=18V, T_C=25℃

-8/+22

-4/+18

120

Continuous Drain Current

V_GS=18V, T_C=100℃

I_D

T_C=25℃, T_J=150℃

Power Dissipation

P_D

375

Thermal Resistance（Typ）

℃/W

℃

R_θJC

T_J

Junction-to-Case

0.23

Junction Temperature

Storage Temperature

-55 ~ +175

T_STG

Document ID

AS-3270042

Issued Date

2013/03/08

Revised Date

2023/10/30

Revision

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