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AS29F002T-55LC

更新时间: 2024-01-24 15:21:03
品牌 Logo 应用领域
ALSC 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 255K
描述
Flash, 256KX8, 55ns, PQCC32, 0.550 X 0.450 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32

AS29F002T-55LC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFJ包装说明:0.550 X 0.450 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.92最长访问时间:55 ns
其他特性:10K WRITE/ERASE CYCLE ENDURANCE启动块:TOP
命令用户界面:YES数据轮询:YES
耐久性:10000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PQCC-J32
JESD-609代码:e0长度:13.97 mm
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
部门数/规模:1,2,1,3端子数量:32
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装等效代码:LDCC32,.5X.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.55 mm
部门规模:16K,8K,32K,64K最大待机电流:0.00001 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.06 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:YES
类型:NOR TYPE宽度:11.43 mm
Base Number Matches:1

AS29F002T-55LC 数据手册

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