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AS29F010-70TC

更新时间： 2024-09-17 20:21:35
品牌 Logo 应用领域
ALSC 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 155K
描述
Flash, 128KX8, 70ns, PDSO32

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AS29F010-70TC 数据手册

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High Performance  
128K×8  
AS29F010  
AS29F011  
CMOS Flash EEPROM  
5V 128K×8 CMOS Flash Memory  
FEATURES  
•
•
Organization:131,072 words × 8 bits  
• JEDEC standard write cycle commands  
Sector Erase architecture  
– Four 32K × 8 sectors  
– protects data from accidental changes  
• Program/erase cycle end signals:  
– Data polling  
•
•
•
Single 5.0±0.5V power supply  
High speed 70/90/120/150 ns address access time  
– I/O6 toggle  
Low power consumption:  
– 30 mA maximum read current  
– 50 mA maximum program current  
– 1.5 mA maximum standby current  
– 1 mA maximum standby current (low power)  
• Low V write lock-out below 3.2V  
CC  
• JEDEC standard packages and pinouts:  
– 32-pin DIP  
– 32-pin PLCC  
•
•
Deep power-down: I < 2µA (AS29F011 version)  
CC  
10,000 write/erase cycle endurance  
– 32-pin TSOP  
LOGIC BLOCK DIAGRAM  
PIN ARRANGEMENT  
Pin  
Description  
address inputs  
data input/output  
chip enable  
I/O ~I/O  
0
7
TSOP  
A[16:0]  
V
I/O[7:1]  
CE  
CC  
A11  
A9  
1
OE  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
2
A10  
CE  
GND  
A8  
3
Erase Voltage  
Switch  
Input/Output  
Buffers  
A13  
A14  
NC*  
WE  
VCC  
4
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
GND  
I/O2  
I/O1  
I/O0  
A0  
5
OE  
output enable  
write enable  
device ground  
power supply  
no connect  
6
7
8
WE  
State  
Control  
AS29F010  
WE  
9
NC  
A16  
A15  
A12  
A7  
10  
11  
12  
13  
14  
GND  
21  
20  
19  
18  
17  
V
Command  
Register  
CC  
Program Voltage  
Switch  
A6  
A1  
A5  
15  
16  
A2  
NC  
RP  
A4  
A3  
Data  
Latch  
deep power down  
(AS29F011 only)  
Chip Enable  
Output Enable  
Logic  
CE  
OE  
PDIP  
PLCC  
VCC  
NC  
1
2
3
4
5
6
7
8
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
Program/Erase  
Pulse Timer  
Low V Detector  
CC  
Y-Decoder  
X-Decoder  
Y-Gating  
A16  
A15  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
WE(W)  
NC*  
A14  
A13  
A8  
A9  
A11  
OE  
A10  
CE(E)  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
I/O0  
5
6
7
8
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
A14  
A13  
A8  
A9  
A11  
OE (G)  
A10  
CE (E)  
I/O7  
A ~A  
0
16  
1,048,576 bit  
Cell Matrix  
9
AS29F010  
9
10  
11  
12  
13  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A0  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
GND  
AS29F010-01  
*RP pin for AS29F011  
AS29F010-02  
SELECTION GUIDE  
29F010-70  
29F010-90  
29F010-120  
29F010-150  
Unit  
Maximum access time  
Chip enable access time  
Output enable access time  
t
t
t
70  
70  
30  
90  
90  
35  
120  
120  
50  
150  
150  
50  
ns  
ns  
ns  
AA  
CE  
OE  
ALLIANCE SEMICONDUCTOR  
1234567...12

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与AS29F010-70TC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS29F010-90LC ALSC

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 		Flash, 128KX8, 90ns, PQCC32
AS29F010-90PC ETC

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 		x8 Flash EEPROM
AS29F010-90TC ALSC

获取价格

 		Flash, 128KX8, 90ns, PDSO32
AS29F010CW-12/883C AUSTIN

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 		128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY
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